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非易失性存儲

一種數據存儲方法,實現原理后是,它包括在介電材料襯底上形成的一個交叉點存儲陣列。交叉點存儲陣列包括第一和第二組橫向電極,它們被一個包含至少一個半導體層的存儲層所分隔。在每個由第一和第二組電極形成的交叉點處,存儲層形成一個非易失性存儲元件。通過對經過存儲元件的預定電流形式的寫入信號的應用,每個存儲元件可以在低和高阻抗狀態之間切換,表示對應的二進制狀態。查看更多>>

  • 非易失性存儲資訊

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