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飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD

　　鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線，一個原生6Gbps的SATA設(shè)備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。　　這款SSD具體型號RealSSD C...

鎂光 34納米 2010-01-08

美光推出NAND與低功率DRAM多芯片封裝產(chǎn)品

　　美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結(jié)合，生產(chǎn)出了市場上最先進的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產(chǎn)品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb...

美光 NAND 2009-11-05

三星看好PCM內(nèi)存潛力有望取代NAND和NOR閃存

　　三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動存儲形式. 　　多年來,半導體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過,它一直處于試驗階段.PCM內(nèi)存當中包含有類似玻璃的材料,當其中的原子...

三星 PCM 2009-10-12

英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片

　　英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數(shù)據(jù)容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱，他們已經(jīng)開發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片，存儲容量為每個儲存單元3比特。這個存儲密度高于目前標準的每個存儲單元2比特的技術(shù)，從而...

英特爾 NAND 2009-08-13

海力士41納米通過認證　切入蘋果供應(yīng)鏈

　　海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)...

Hynix NAND 2009-07-29

英特爾推出業(yè)內(nèi)首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤

　　英特爾公司已經(jīng)開始采用更為先進的34納米生產(chǎn)流程制造其領(lǐng)先的NAND閃存固態(tài)硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進的工程設(shè)計，34 納米產(chǎn)品將使SSD的價格(與一年前推出產(chǎn)品時的價格相比)...

英特爾 34納米 2009-07-22