老婆的视频在线观看完整版中文 ,欧美一区二区三区激情,国产人与zoxxxx另类

什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/...

羅姆半導體 dv 2022-09-22

關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

　　王定良（電子科技大學電子科學與工程學院，四川成都 610054）　　摘? 要：作為電機驅(qū)動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關(guān)速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高...

202002 IGBT 2020-01-16

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響--DL/DT

數(shù)字信號主要的頻率分量都位于它的轉(zhuǎn)折頻率以下。轉(zhuǎn)折頻率FKNEE與脈沖上升時間TR相關(guān)，而與傳播延遲、時鐘速率或轉(zhuǎn)換頻率無關(guān)：信號傳播的整個路徑，包...

DT DV 2018-09-11

如何處理高di/dt負載瞬態(tài)（上）

高 di/dt 負載需要仔細考慮旁路問題以保持電源動態(tài)穩(wěn)壓。表面貼裝電容需要非?？拷撦d以最小化其互連電感。電容具有可能避免大量去耦的寄生電感。降低這一寄生電感的并聯(lián)電容是有效的，但互連和互感減弱了這一效果。使用具有更短...

di/dt 德州儀器 2017-06-03

深度解讀阿里云六年成長歷程：向DT世界轉(zhuǎn)型

　　6年前，云計算創(chuàng)業(yè)“無人喝彩”。6年后的今天，阿里云已成長為全球領(lǐng)先的云計算服務(wù)平臺，開始分享對于DT世界、云計算生態(tài)、數(shù)據(jù)保護以及未來核心技術(shù)等方向的判斷。　　7月22日，首屆阿里云分享...

阿里云 DT 2015-07-23

DT大蛋糕蘋果能否分得一杯羹

　　6月9日，據(jù)國外媒體報道，知情人士透露稱，蘋果公司正在建造高速網(wǎng)絡(luò)，同時還在升級自己打造數(shù)據(jù)中心的方式，此舉旨在提升該公司在云領(lǐng)域的競爭實力，從而進一步與亞馬遜、谷歌和微軟等對手在云服務(wù)領(lǐng)域展開更好的競爭。　　目...

蘋果 DT 2015-06-10

阿里巴巴全球布局數(shù)據(jù)中心謀DT時代戰(zhàn)略

雖然聽起來挺厲害的，但是為什么支付寶在公元2015年5月27日被挖掘機一鏟子挖壞了呢，難道沒有容錯機制？阿里快長點心吧，千里之堤毀于蟻穴，大企業(yè)不能再遇到這種災(zāi)難性的事故了。...

阿里巴巴 DT 2015-05-28

數(shù)位儀表設(shè)計-HY12P65簡化可攜式電量測量設(shè)計

　　一、?前言　　在可攜式電量測量設(shè)備中，常見有數(shù)位式復用電表(Digital?Multimeters)及夾式電流表(Clamp?Meter)。這些設(shè)備可用來測量出電量中的電壓及電流，電量訊號又可分成直流及交流，而交流部...

HY12P65 SDADC 2014-04-03

探索諾基亞無線充電支架DT-910的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

日前曝光了諾基亞DT-910充電支架的拆機圖，請大家跟隨我的腳步去了解一下諾基亞這個旗艦產(chǎn)品的一級外配。......

DT-910 無線充電 2013-09-26

晶閘管燒壞的真實原因解析

摘要：文中從專業(yè)的角度介紹了晶閘管在工作過程中燒壞的真實原因，解開了以往從表面現(xiàn)象而判斷晶閘管燒壞的誤區(qū)。關(guān)鍵詞：晶閘管；dv／dt；di／dt；開通時間；關(guān)斷時間晶閘管屬于硅元件，硅元件的普遍特性...

晶閘管 dv／dt 2013-03-25

可控硅dIT/dt測試線路的設(shè)計與測量

摘要：dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一個重要參數(shù)，過高的dIT/dt可能會導致可控硅損壞或失效，故設(shè)計一個能準確測量此參數(shù)的低成本線路顯得尤為關(guān)鍵。本文設(shè)計了一個簡潔的測量可控硅dIT/dt的測試電路，并介紹了它的測試...

測試可控硅 2012-08-20

高電壓浪涌抑制器可確保電源浪涌期間的可靠操作

在工業(yè)、汽車和航空電子應(yīng)用中，經(jīng)常會遇到持續(xù)幾 μs 至幾百 ms 的高電壓電源尖峰。這些系統(tǒng)中的電子線路不僅必須安然承受瞬態(tài)電壓尖峰，而且在許多場合還需要在此過程中可靠地運作。在那些通過長導線供電的系統(tǒng)中，負載階躍 (...

凌力爾特電阻器 2012-07-31

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響

數(shù)字信號主要的頻率分量都位于它的轉(zhuǎn)折頻率以下。轉(zhuǎn)折頻率FKNEE與脈沖上升時間TR相關(guān)，而與傳播延遲、時鐘速率或轉(zhuǎn)換頻率無關(guān)：信號傳播的整個路徑，包括器件封裝、電路板布局以及連接器等，如果要它們正確地分發(fā)轉(zhuǎn)...

DV DT 2012-06-13