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di/dt資訊

什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/...

羅姆半導(dǎo)體 dv 2022-09-22

Limata創(chuàng)新型的LUVIR技術(shù)加速PCB防焊量產(chǎn)制程

專業(yè)LDI設(shè)備制造商Limata日前正式發(fā)布其獨(dú)有的、經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的適用于所有X系列產(chǎn)品的LUVIR技術(shù)?。此獨(dú)特的LDI技術(shù)在降低設(shè)備維護(hù)成本的同時(shí)，能顯著提高防焊油墨的成像速度。創(chuàng)新的技術(shù)降低了成像需求UV光的能量，...

UV IR 2020-08-06

歐司朗第三財(cái)季危機(jī)管理取得成效，有信心實(shí)現(xiàn)財(cái)年預(yù)期

通過(guò)在全球?qū)用娌扇∥C(jī)管理等應(yīng)對(duì)措施，歐司朗在第三財(cái)季有效降低了疫情影響。歐司朗第三財(cái)季營(yíng)業(yè)收入為6.06億歐元，在一年內(nèi)可比基礎(chǔ)上下降29.4%，但與行業(yè)主要銷售市場(chǎng)相比，表現(xiàn)好于預(yù)期。扣除特殊項(xiàng)目前，稅息折舊及攤銷前...

OS AM 2020-07-29

關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

　　王定良（電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川成都 610054）　　摘? 要：作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來(lái)越重要，但是越來(lái)越快的開(kāi)關(guān)速度，可能會(huì)引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過(guò)高...

202002 IGBT 2020-01-16

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響--DL/DT

數(shù)字信號(hào)主要的頻率分量都位于它的轉(zhuǎn)折頻率以下。轉(zhuǎn)折頻率FKNEE與脈沖上升時(shí)間TR相關(guān)，而與傳播延遲、時(shí)鐘速率或轉(zhuǎn)換頻率無(wú)關(guān)：信號(hào)傳播的整個(gè)路徑，包...

DT DV 2018-09-11

如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（上）

高 di/dt 負(fù)載需要仔細(xì)考慮旁路問(wèn)題以保持電源動(dòng)態(tài)穩(wěn)壓。表面貼裝電容需要非常靠近負(fù)載以最小化其互連電感。電容具有可能避免大量去耦的寄生電感。降低這一寄生電感的并聯(lián)電容是有效的，但互連和互感減弱了這一效果。使用具有更短...

di/dt 德州儀器 2017-06-03

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