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什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的瞬態充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發射極之間產生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路并造成失效的現象。通常，dV/...

羅姆半導體 dv 2022-09-22

Limata創新型的LUVIR技術加速PCB防焊量產制程

專業LDI設備制造商Limata日前正式發布其獨有的、經過市場驗證的適用于所有X系列產品的LUVIR技術?。此獨特的LDI技術在降低設備維護成本的同時，能顯著提高防焊油墨的成像速度。創新的技術降低了成像需求UV光的能量，...

UV IR 2020-08-06

歐司朗第三財季危機管理取得成效，有信心實現財年預期

通過在全球層面采取危機管理等應對措施，歐司朗在第三財季有效降低了疫情影響。歐司朗第三財季營業收入為6.06億歐元，在一年內可比基礎上下降29.4%，但與行業主要銷售市場相比，表現好于預期。扣除特殊項目前，稅息折舊及攤銷前...

OS AM 2020-07-29

關于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區分析及其解決方案

　　王定良（電子科技大學電子科學與工程學院，四川成都 610054）　　摘? 要：作為電機驅動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發。另外，過高...

202002 IGBT 2020-01-16

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響--DL/DT

數字信號主要的頻率分量都位于它的轉折頻率以下。轉折頻率FKNEE與脈沖上升時間TR相關，而與傳播延遲、時鐘速率或轉換頻率無關：信號傳播的整個路徑，包...

DT DV 2018-09-11

如何處理高di/dt負載瞬態（上）

高 di/dt 負載需要仔細考慮旁路問題以保持電源動態穩壓。表面貼裝電容需要非常靠近負載以最小化其互連電感。電容具有可能避免大量去耦的寄生電感。降低這一寄生電感的并聯電容是有效的，但互連和互感減弱了這一效果。使用具有更短...

di/dt 德州儀器 2017-06-03

德國慕尼黑電子展的三大主旋律：創新，安全，無線

作者/ 王瑩 ? 電子產品世界編輯創新　　德國慕尼黑，11月7日，《電子產品世界》編輯第一次來到了慕名已久的electronica(慕尼黑電子展)。11月7日晚，創新設計家兼未來學家Vto Di Bari教授在elect...

德國慕尼黑 Vto Di Bari 2016-11-30

深度解讀阿里云六年成長歷程：向DT世界轉型

　　6年前，云計算創業“無人喝彩”。6年后的今天，阿里云已成長為全球領先的云計算服務平臺，開始分享對于DT世界、云計算生態、數據保護以及未來核心技術等方向的判斷。　　7月22日，首屆阿里云分享...

阿里云 DT 2015-07-23

DT大蛋糕蘋果能否分得一杯羹

　　6月9日，據國外媒體報道，知情人士透露稱，蘋果公司正在建造高速網絡，同時還在升級自己打造數據中心的方式，此舉旨在提升該公司在云領域的競爭實力，從而進一步與亞馬遜、谷歌和微軟等對手在云服務領域展開更好的競爭。　　目...

蘋果 DT 2015-06-10

阿里巴巴全球布局數據中心謀DT時代戰略

雖然聽起來挺厲害的，但是為什么支付寶在公元2015年5月27日被挖掘機一鏟子挖壞了呢，難道沒有容錯機制？阿里快長點心吧，千里之堤毀于蟻穴，大企業不能再遇到這種災難性的事故了。...

阿里巴巴 DT 2015-05-28

數位儀表設計-HY12P65簡化可攜式電量測量設計

　　一、?前言　　在可攜式電量測量設備中，常見有數位式復用電表(Digital?Multimeters)及夾式電流表(Clamp?Meter)。這些設備可用來測量出電量中的電壓及電流，電量訊號又可分成直流及交流，而交流部...

HY12P65 SDADC 2014-04-03

探索諾基亞無線充電支架DT-910的內部結構

日前曝光了諾基亞DT-910充電支架的拆機圖，請大家跟隨我的腳步去了解一下諾基亞這個旗艦產品的一級外配。......

DT-910 無線充電 2013-09-26

晶閘管燒壞的真實原因解析

摘要：文中從專業的角度介紹了晶閘管在工作過程中燒壞的真實原因，解開了以往從表面現象而判斷晶閘管燒壞的誤區。關鍵詞：晶閘管；dv／dt；di／dt；開通時間；關斷時間晶閘管屬于硅元件，硅元件的普遍特性...

晶閘管 dv／dt 2013-03-25

可控硅dIT/dt測試線路的設計與測量

摘要：dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一個重要參數，過高的dIT/dt可能會導致可控硅損壞或失效，故設計一個能準確測量此參數的低成本線路顯得尤為關鍵。本文設計了一個簡潔的測量可控硅dIT/dt的測試電路，并介紹了它的測試...

測試可控硅 2012-08-20

高電壓浪涌抑制器可確保電源浪涌期間的可靠操作

在工業、汽車和航空電子應用中，經常會遇到持續幾 μs 至幾百 ms 的高電壓電源尖峰。這些系統中的電子線路不僅必須安然承受瞬態電壓尖峰，而且在許多場合還需要在此過程中可靠地運作。在那些通過長導線供電的系統中，負載階躍 (...

凌力爾特電阻器 2012-07-31

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響

數字信號主要的頻率分量都位于它的轉折頻率以下。轉折頻率FKNEE與脈沖上升時間TR相關，而與傳播延遲、時鐘速率或轉換頻率無關：信號傳播的整個路徑，包括器件封裝、電路板布局以及連接器等，如果要它們正確地分發轉...

DV DT 2012-06-13

超頻引擎實力爆發精靈雷神DT深度拆解

　　對于游戲玩家，一款游戲鼠標最重要的是舒適和適合;而對于發燒友來說，不把鼠標拆開來細細研究一下，不能滿足發燒友的好奇心。前些日子筆者獲得了一款精靈雷神DT游戲鼠標，其配備可調配重和宏編程鍵，采用可調DPI 100-57...

游戲鼠標精靈雷神 2012-06-04

高di/dt負載瞬態的電源及其分配系統設計

就許多中央處理器(CPU)而言，規范要求電源必須能夠提供大而快速的充電輸出電流，特別是當處理器變換工作模式的時候。例如，在1V的系統中，100A/uS負載瞬態可能會要求將電源電壓穩定在3%以內。解決這一問題的關鍵就是...

di dt 2012-04-26

如何處理高di/dt負載瞬態（下）

關鍵詞：電源、雙極、驅動器、電源設計小貼士、電源管理、模擬、半導體、電源設計小貼士、Robert Kollman、德州儀器、TI在《如何處理高di/dt負載瞬態（上）》中，我們討論了電流快速變化時一些負載的電容旁路要求。...

雙極驅動器 2012-04-23

如何處理高 di/dt 負載瞬態（上）

關鍵詞：電源、雙極、驅動器、電源設計小貼士、電源管理、模擬、半導體、Robert Kollman、德州儀器、TI就許多中央處理器 (CPU) 而言，規范要求電源必須能夠提供大而快速的充電輸出電流，特別是當處理器變換工作模...

電源負載 2012-04-20

限制穩壓器啟動時dV/dt和電容的電路設計

穩壓器調整端增加簡單電路控制輸出電壓的 dV/dt ，限制啟動電流。有時，設計約束突出地暴露了平凡器件和電路的不利方面。這種案例有供電源穩壓電路的設計，電路中一次電源有完全限流規定，例如太空船的光電或...

電容電路設計 2011-04-20

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響--DL/D

數字信號主要的頻率分量都位于它的轉折頻率以下。轉折頻率FKNEE與脈沖上升時間TR相關，而與傳播延遲、時鐘速率或轉換頻率無關：信號傳播的整個路徑，包括器件封裝、電路板布局以及連接器等，如果要它們正確地分發轉換...

DT DV 2010-06-12

英特爾將為平板電腦智能手機提供無線顯示技術

　　英特爾高管本周表示，該公司將為智能手機、平板電腦等移動設備提供Wi-Di無線顯示技術。　　Wi-Di使用戶能夠從PC向高清電視機以無線方式傳輸圖像和視頻。英特爾無線顯示產品經理凱里·福瑞爾(Kerr...

英特爾智能手機 2010-05-17

鴻海土耳其廠預計明年量產20萬臺PC

　　7月1日消息，據臺灣媒體報道，鴻海土耳其廠預計將會在明年起量產，預估每年可以生產約20萬臺PC。　　鴻海董事長郭臺銘之前指出，由于經濟不景氣，品牌客戶勢必要與代工廠更緊密合作，鴻海具有競爭優勢，因此不景氣反而是鴻...

鴻海 PC 2009-07-02

存儲器大廠意外頻發“穩定”行業價格

　　近期記憶體業者常幽默指出，以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產業可能只有2種方法可帶動價格，一是每年1次的晶圓廠跳電事件，帶來的“自然減產機制”，使得上游供給減少，二是記憶體廠制...

存儲器 DRAM 2008-05-26

桌面級PC將成為家庭媒體中心

　　在2004年PC換機潮達至高點后，加上筆記本電腦價格持續下滑及效能精進下，市場普遍認為臺式機市場成長將趨緩，甚至預言NB出貨最快將于2009年一舉超越DT，DT成長率將會局限在個位數水平，但事實則不然，盡管NB成長快...

PC DT 2008-04-09

霍爾開關在鋁電解天車自動兌料對位中的解決方案

當天車對好位并通過電磁鐵和霍爾開關給凈化供料控制系統信號后,系統會給天車對料凈化供料部分的PLC一個輸出......

天車中間繼電器 2008-04-07

DI-144參考設計TOPSwitch-HX冷凝式鍋爐電源

DI-144參考設計TOPSwitch-HX冷凝式鍋爐電源...

DI-144 TOPSwitch-HX 2008-01-30

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di/dt