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FLASH閃存

　　FLASH閃存 　　閃存的英文名稱是"Flash Memory"，一般簡稱為"Flash"，它屬于內(nèi)存器件的一種。 　　1簡介 　　閃存的物理特性與常見的內(nèi)存有根本性的差異： 　　各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬于揮發(fā)性內(nèi)存，只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無法保持，因此每次電腦開機(jī)都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存； 　　閃存則是一種非易失性（ Non-Volatile ）內(nèi)存，在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲特性相當(dāng)于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。 　　2分類 　　NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。

  • FLASH閃存資訊

采用C51與插拔式FLASH閃存設(shè)計無紙記錄儀

FLASH閃存 測量 2006-12-30
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