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借助高集成度TOLL封裝GaN器件推動(dòng)電源設(shè)計(jì)創(chuàng)新

當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計(jì)人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹aN 可實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)，這樣可減小無源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術(shù)相比，GaN 還可降...

GaN器件電源設(shè)計(jì) 2025-06-04

泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作再結(jié)碩果，共推1700V GaN器件邁向新高度

_____近日，泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作迎來又一重要里程碑，雙方攜手對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN器件進(jìn)行了深入測(cè)試與評(píng)估，成果斐然，為該器件在高端應(yīng)用市場(chǎng)的拓展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。此前，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體憑借其在高壓Ga...

泰克遠(yuǎn)山半導(dǎo)體 2025-01-15

ROHM開發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款超高速驅(qū)動(dòng)GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BD2311NVX-LB”。近年來，在服務(wù)器系統(tǒng)等領(lǐng)域，由于IoT設(shè)備的需求日益增長(zhǎng)，電源部分的功率轉(zhuǎn)換效率提升和設(shè)備的小...

ROHM GaN器件 2023-10-19

ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅(qū)動(dòng)控制”IC 技術(shù)

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關(guān)器件的性能。近年來，GaN器件因其具有高速開關(guān)的特性優(yōu)勢(shì)而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC...

ROHM GaN器件 2023-03-07

GaN器件有望在中等耐壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)出色的高頻工作性能

1? ?羅姆看好哪類GaN功率器件的市場(chǎng)機(jī)會(huì)？GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）一樣，是一種在功率器件中存在巨大潛力的材料。GaN 器件作為高頻工作出色的器件，在中等耐壓范圍的應(yīng)用中備受期待。特別是與SiC 相比，高速開...

202201 GaN器件 2022-01-18

ABI Research：2019年微波射頻市場(chǎng)規(guī)模超3億

　　市場(chǎng)研究公司ABI Research發(fā)布了關(guān)于大功率射頻有源器件市場(chǎng)的研究。研究顯示，隨著4～18GHz氮化鎵(GaN)器件的普遍應(yīng)用，在微波射頻功率半導(dǎo)體器件方面的開銷將持續(xù)增長(zhǎng)。ABI Research預(yù)計(jì)，微波...

微波射頻 GaN器件 2014-12-19

GaN器件和AMO技術(shù)推動(dòng)實(shí)現(xiàn)高效率和寬帶寬

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園...

GaN器件 AMO技術(shù) 2014-05-12

大功率LED材料迎來新成員

　　超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之一，并在射頻領(lǐng)域中受寵，其中包括Cree、RFMD以及Eudyna和Nitronex推出針對(duì)這些市場(chǎng)...

硅功率MOSFET GaN器件 2010-11-07

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GaN器件

借助高集成度TOLL封裝GaN器件推動(dòng)電源設(shè)計(jì)創(chuàng)新

泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作再結(jié)碩果，共推1700V GaN器件邁向新高度

ROHM開發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC

ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅(qū)動(dòng)控制”IC 技術(shù)

GaN器件有望在中等耐壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)出色的高頻工作性能

ABI Research：2019年微波射頻市場(chǎng)規(guī)模超3億

GaN器件和AMO技術(shù)推動(dòng)實(shí)現(xiàn)高效率和寬帶寬

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ADI家庭總線數(shù)據(jù)線供電解決方案

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場(chǎng)

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