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當今的電源設計要求高效率和高功率密度。因此，設計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉換拓撲。GaN 可實現高頻開關，這樣可減小無源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術相比，GaN 還可降...

GaN器件電源設計 2025-06-04

_____近日，泰克科技與遠山半導體的合作迎來又一重要里程碑，雙方攜手對遠山半導體最新推出的1700V GaN器件進行了深入測試與評估，成果斐然，為該器件在高端應用市場的拓展注入強勁動力。此前，遠山半導體憑借其在高壓Ga...

泰克遠山半導體 2025-01-15

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出一款超高速驅動GaN器件的柵極驅動器IC“BD2311NVX-LB”。近年來，在服務器系統等領域，由于IoT設備的需求日益增長，電源部分的功率轉換效率提升和設備的小...

ROHM GaN器件 2023-10-19

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度地激發出GaN等高速開關器件的性能。近年來，GaN器件因其具有高速開關的特性優勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC...

ROHM GaN器件 2023-03-07

1? ?羅姆看好哪類GaN功率器件的市場機會？GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）一樣，是一種在功率器件中存在巨大潛力的材料。GaN 器件作為高頻工作出色的器件，在中等耐壓范圍的應用中備受期待。特別是與SiC 相比，高速開...

202201 GaN器件 2022-01-18

　　市場研究公司ABI Research發布了關于大功率射頻有源器件市場的研究。研究顯示，隨著4～18GHz氮化鎵(GaN)器件的普遍應用，在微波射頻功率半導體器件方面的開銷將持續增長。ABI Research預計，微波...

微波射頻 GaN器件 2014-12-19

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