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介紹了一款滿足于5G通信發展要求，工作頻率高增益，高線性度，高三階交調點的射頻放大器的設計。采用砷化鎵異質結晶體管（GaAs HBT）工藝，基于達林頓結構進行設計。在原有結構基礎上，添加了偏置結構，一方面提高了放大器工作...

202306 射頻放大器 2023-07-06

摘要：針對WIFI 6E頻段的設備需求，設計了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質結雙極型晶體管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級放大拓撲結構，采用自適應偏置電路結構解決HBT晶體管...

202206 功率放大器 2022-06-15

本文介紹了一款用于無線局域網802.11n的10W功率放大芯片。該芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特點，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技術，芯片面積僅為10mm×10mm。功率放大器采用了熱分流式結構，...

功率放大器 802.11n 2016-03-28

2011年9月13日日本東京訊—高級半導體廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶...

瑞薩晶體管 2011-09-27

電感在射頻單片集成電路中具有重要作用，主要具備阻抗轉換、諧振、反饋、濾波等功能。隨著無線通信技術的迅速......

SiGe HBT 2011-06-07

本文設計了四種結構的射頻有源電感，其中包括兩種正電感和兩種負電感。研究結果表明由晶體管構成的有源電感的性能受晶體管的組態及偏置影響較大。四種電路結構中，由共射放大器與共集放大器級聯反饋構成的有源電感性能較好。采用回轉器...

電感設計 2011-03-23

　　Avago Technologies(安華高科技)今日宣布推出兩款新經濟型容易使用的通用InGaP異質結雙極晶體管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方塊放...

Avago 放大器 2010-03-03

　　Strategy Analytics 發布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市...

GaAs 外延襯底 2009-08-03

0 引言　　SiGe基區異質結雙極型晶體管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技術首次制作出SiGe基區HBT以來，SiGe集成電路的規模和電路的速度不斷發展，電流增益和頻率響...

HBT 2008-11-10

電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園...

射頻 GSM 2007-03-12

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