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P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用

Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P溝...

Littelfuse P溝道功率 2024-04-09

安世東莞廠全面擴(kuò)產(chǎn) 中資半導(dǎo)體引領(lǐng)未來(lái)

Nexperia(安世半導(dǎo)體)3月初宣布安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司著力擴(kuò)建的廣東新分立器件封裝和測(cè)試工廠正式投產(chǎn)，全廠總面積達(dá)到72,000 平方米，新增16,000 平方米生產(chǎn)面積，年產(chǎn)量達(dá)到900 億件;根據(jù)產(chǎn)品組合...

Nexperia 分立器件 2018-03-22

意法半導(dǎo)體（ST）新功率MOSFET實(shí)現(xiàn)近乎完美的開(kāi)關(guān)性能

　　市場(chǎng)人氣頗高的意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)MDmesh? M2系列的N-溝道功率MOSFETs再增添新成員，新系列產(chǎn)品能夠?yàn)榉?wù)器、筆記本電腦、電信設(shè)備及消費(fèi)電子產(chǎn)品電源提供業(yè)內(nèi)最高能...

意法半導(dǎo)體 MOSFETs 2015-09-14

　　一、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)誕生于上世紀(jì)70年代，當(dāng)時(shí)主要受兩大因素驅(qū)動(dòng)：一是為計(jì)算機(jī)行業(yè)提供更符合成本效益的存儲(chǔ)器;二是為滿足企業(yè)開(kāi)發(fā)具備特定功能的新產(chǎn)品而快速生產(chǎn)的專用集成電路。　　到了8...

半導(dǎo)體技術(shù) MOSFETs 2014-05-19

全球半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖解析

半導(dǎo)體 MOSFETs 2014-05-15

MSL2164:16串LED驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用案例精講

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園...

MSL2164 MSL2166 2013-09-09

疊柵MOSFETs的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與研究

摘要：通過(guò)分析設(shè)計(jì)，提出了一種新型結(jié)構(gòu)的疊柵MOSFET，它的柵電容是由兩個(gè)電容混聯(lián)組成，所以它有較小的柵電容和顯著的抑制短溝道效應(yīng)的作用。模擬軟件MEDICI仿真結(jié)果驗(yàn)證了理論分析的預(yù)言，從而表明該結(jié)構(gòu)可用作射...

研究結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 2010-09-13

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MOSFETs

P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用

安世東莞廠全面擴(kuò)產(chǎn) 中資半導(dǎo)體引領(lǐng)未來(lái)

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全球半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖

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疊柵MOSFETs的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與研究

ADI家庭總線數(shù)據(jù)線供電解決方案

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場(chǎng)

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