中文字幕精品一区二区2021年,国产精品欧美一区二区三区不卡,男人的好看免费观看在线视频

三星擬將iPhone用LPDDR價格環(huán)比上調(diào)超80%

三星電子與SK海力士可能大幅上調(diào)供應(yīng)給蘋果iPhone的LPDDR內(nèi)存價格。據(jù)ZDNet援引業(yè)內(nèi)人士消息，兩家公司已在2026年第一季度與蘋果就LPDDR供貨價格展開談判，并提出顯著漲價要求：三星電子尋求環(huán)比（QoQ）漲...

三星 iPhone 2026-01-29

DDR5內(nèi)存現(xiàn)在可能比PlayStation 5還貴

64GB DDR5內(nèi)存的平均價格已飆升至500美元以上。如果你想要128GB的，預(yù)計要花比買電腦更高的價格。價格還在上漲：PC內(nèi)存的價格已經(jīng)高到64GB?DDR5內(nèi)存包輕松超過500美元，甚至超過索尼PlayStatio...

DDR 內(nèi)存 2025-11-25

中國存儲器市場價格每天都在上漲：16GB DDR4模組10月飆升160%

由于內(nèi)存超級周期沒有放緩的跡象，定價已經(jīng)從季度周期轉(zhuǎn)向快速、每月甚至每日調(diào)整。第一財經(jīng)援引中國最大的電子中心深圳華強北的交易員的話報道稱，飆升速度如此之快，就像“每天都有新價格”，這是多年來罕見的速度。DDR4 和 DD...

存儲 DDR 2025-11-06

DDR 的 PCB布局及走線要求

1. 定義DDR：Double Date Rate 雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR、DDR2、DDR3常用規(guī)格：2. 阻抗控制要求單端走線控制 50 歐姆，差分走線控制 100 歐姆3. DDR 布局要求通常，根據(jù)器...

DDR PCB設(shè)計 2025-05-06

電源DDR硬件設(shè)計技巧

1、電源DDR的分類A、主電源VDD和VDDQ主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給內(nèi)核供電。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有專門的VDD...

電源設(shè)計 DDR 2024-07-19

了解雙數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲器的關(guān)鍵概念和圍繞這一數(shù)字通信技術(shù)的應(yīng)用，其中兩個數(shù)據(jù)字在一個時鐘周期內(nèi)傳輸。串行數(shù)據(jù)傳輸比并行數(shù)據(jù)傳輸具有重要優(yōu)勢，并且在許多系統(tǒng)中，這些優(yōu)勢足夠顯著，足以證明添加串行化和反串行化并行數(shù)據(jù)的...

雙倍數(shù)據(jù)速率 DDR 2024-05-17

存儲大廠現(xiàn)場展示HBM3E產(chǎn)品

近日，存儲大廠美光科技在GTC 2024活動，展示一系列存儲解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預(yù)計2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB ...

DDR 美光科技 2024-03-21

集邦咨詢：存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩

邁過2023年的經(jīng)濟逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3...

存儲 DDR 2024-03-16

2024年，存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！

DDR GDDR6 2024-03-15

DDR硬件設(shè)計要點

1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有VD...

DDR 內(nèi)存 2024-01-25

你所需要知道的HBM技術(shù)

在2024年即將到來之際，多家機構(gòu)給出預(yù)測，認定生成式AI將成為2024年的增長重點之一。回顧2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應(yīng)用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據(jù)權(quán)...

HBM DDR 2023-12-22

ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！

簡單解釋ROMROM：只讀存儲器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進行工作這時...

ROM RAM 2023-07-18

燦芯半導(dǎo)體推出兩項創(chuàng)新技術(shù)用于DDR物理層

一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出用于高速DDR物理層中的Zero-Latency （零延遲）和True-Adaptive（真自適應(yīng)）兩項技術(shù)。這兩項技術(shù)已經(jīng)開始在12/14 FinFET, 22/28...

燦芯 DDR 2022-07-07

7200MHz! DDR4內(nèi)存超頻記錄被刷新

　　DDR4內(nèi)存已經(jīng)誕生了有10年之久，從一開始的2133MHz頻率到后期逐漸站上2400MHz、2666MHz，一直到工藝與電路架構(gòu)升級后，現(xiàn)在民用普遍的3200MHz和性能玩家追捧的4166MHz。可以說這十年以來，...

DDR 2021-04-27

NVIDIA選用新思科技經(jīng)驗證DesignWare DDR IP核

重點：高質(zhì)量DesignWare DDR PHY IP核為NVIDIA提供無與倫比的性能、延遲和電源效率DDR PHY支持DDR5/4的每個通道多個DIMM，滿足NVIDIA的網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)速率和內(nèi)存容量要求基于固件的現(xiàn)場可升...

云計算 NVIDIA 2020-08-12

燦芯半導(dǎo)體為NVDIMM OEM提供完整解決方案

國際領(lǐng)先的定制化芯片（ASIC）設(shè)計方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡稱“燦芯半導(dǎo)體”）近日對外宣布為一家著名的NVDIMM供應(yīng)商提供完整的NVDIMM控制器芯片解決方案。非...

OEM DDR 2020-07-23

宏旺半導(dǎo)體ICMAX置辦全自動化大型DDR測試機臺填補國內(nèi)市場空白

在國內(nèi)疫情尚還未完全好轉(zhuǎn)的情況下，全球疫情開始逐漸惡化。而日韓疫情的兇猛，更是給全球半導(dǎo)體領(lǐng)域投下了“重磅炸彈”。...

宏旺半導(dǎo)體 DDR 2020-03-17

DDR硬件設(shè)計要點都在這里

　　DDR硬件設(shè)計要點　　1. 電源 DDR的電源可以分為三類：　　a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成...

DDR PCB 2018-07-30

DDR內(nèi)存的發(fā)展簡史：和三星有關(guān)

　　DDR的種類：　　1、DDR SDRAM：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器;　　2、DDR2 SDR...

DDR 三星 2018-06-19

國產(chǎn)內(nèi)存即將到來可業(yè)內(nèi)卻判DDR死刑

似乎中國已經(jīng)要趕上國外主流水準，但是業(yè)內(nèi)卻傳出DDR內(nèi)存已經(jīng)過時，新的內(nèi)存即將取代，這無疑給國內(nèi)的DDR內(nèi)存制造廠商當(dāng)頭一棒。...

內(nèi)存 DDR 2018-03-28

控制DDR線長匹配來保證時序，在PCB設(shè)計時應(yīng)該這么做！

　　DDR布線在PCB設(shè)計中占有舉足輕重的地位，設(shè)計成功的關(guān)鍵就是要保證系統(tǒng)有充足的時序裕量。要保證系統(tǒng)的時序，線長匹配又是一個重要的環(huán)節(jié)。我們來回顧一下，DDR布線，線長匹配的基本原則是：地址，控制/命令信號與時鐘做等...

PCB DDR 2018-01-25

DDR布線舉足輕重，一文看懂背后的大學(xué)問

DDR 布線 2017-08-31

DDR布線舉足輕重，一文看懂背后的大學(xué)問

DDR布線在PCB設(shè)計中占有舉足輕重的地位，設(shè)計成功的關(guān)鍵就是要保證系統(tǒng)有充足的時序裕量。要保證系統(tǒng)的時序，線長匹配又是一個重要的環(huán)節(jié)。我們來回顧一下，DDR布線，線長匹配的基本原則是：地址，控制/命令信號與時鐘做等長。...

DDR PCB 2017-06-13

基于MIMO技術(shù)的視頻緩存器設(shè)計方案

隨著高速處理器的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來越廣泛，高速大容量緩存器被廣泛應(yīng)用于音視頻系統(tǒng)中，然而專用的高速大容量緩存芯片價格過于昂貴，傳統(tǒng)SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無法滿足應(yīng)用....

MIMO技術(shù) 視頻緩存器 2017-06-08

基于FPGA的DDR內(nèi)存條的控制研究

隨著數(shù)據(jù)存儲量的日益加大以及存儲速度的加快，大容量的高速存儲變得越來越重要。內(nèi)存條既能滿足大容量的存儲又能滿足讀寫速度快的要求，這樣使得對內(nèi)存條控制的應(yīng)用越來越廣泛。首先介紹了內(nèi)存條的工作原理，內(nèi)存條電路設(shè)計的注意事項，...

DDR 內(nèi)存條 2017-06-05

基于FPGA的LCoS顯示驅(qū)動系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)

研究了硅基液晶(LCoS)場序彩色顯示驅(qū)動系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn).該系統(tǒng)以FPGA作為主控芯片,用兩片高速DDR2 SDRAM作為幀圖像存儲器.通過對圖像數(shù)據(jù)以幀為單位進行處理,系統(tǒng)將并行輸入的紅、綠、藍數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成申行輸出的...

硅基液晶 DDR 2017-06-05

如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手

差分時鐘是DDR的一個重要且必要的設(shè)計，但大家對CK#（CKN）的作用認識很少，很多人理解為第二個觸發(fā)時鐘，其實它的真實作用是起到觸發(fā)時鐘校準的作用。...

DDR 差分時鐘 2017-06-03

利用新一代虛擬探測功能實現(xiàn)DDR等信號去嵌測試

一、內(nèi)存測試中的難點內(nèi)存廣泛應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品中，內(nèi)存測試也是產(chǎn)品測試中的熱點和難點。內(nèi)存測試中最為關(guān)鍵的測試項目為DQ/DQS/CLK之間的時序關(guān)系。JEDEC規(guī)范規(guī)定測量這幾個信號之間的時序時測試點需要選擇在靠...

虛擬探測 DDR 2016-10-22

基于FPGA 的DDR SDRAM控制器在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中應(yīng)用

實現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速大容量存儲是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的一項關(guān)鍵技術(shù)。本設(shè)計采用Altera 公司Cyclone系列的FPGA 完成了對DDR SDRAM 的控制，以狀態(tài)機來描述對DDR SDRAM 的各種時序操作，設(shè)計了DDR SD...

SDRAM FPGA 2016-10-18

高速存儲器的調(diào)試和評估――不要僅僅停留在一致性測試上

引言：DDR4 等存儲技術(shù)的發(fā)展帶動存儲器速度與功率效率空前提升，僅僅停留在一致性測試階段，已經(jīng)不能滿足日益深入的調(diào)試和評估需求。DDR 存儲器的測試項目涵蓋了電氣特性和時序關(guān)系，由JEDEC明確定義，JEDEC 規(guī)范...

高速存儲器一致性測試 2016-10-18

高速數(shù)字電路設(shè)計：互連時序模型與布線長度分析

高速電路設(shè)計領(lǐng)域，關(guān)于布線有一種幾乎是公理的認識，即“等長”走線，認為走線只要等長就一定滿足時序需求，就不會存在時序問題。本文對常用高速器件的互連時序建立模型，并給出一般性的時序分析公式。為...

PCB DDR 2016-10-16

DDR的前世與今生（二）

　　SDRAM與DDR SDRAM 　　SDRAM是比較久遠的事情了，但我們一說到它肯定不會和 DDR混淆，我們通常理解的SDRAM其實是SDR SDRAM,為SDRAM的第一代，而DDR1則為第二代，乃至到我們現(xiàn)在使...

DDR SDRAM 2016-09-12

IDT為Intel Xeon處理器提供企業(yè)解決方案

混合信號半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司宣布支持基于 Nehalem 的 Intel® Xeon® 處理器，該處理器采用可進行生產(chǎn)的 PCI Express®(PCIe®)交...

IDT DDR 2016-09-12

e2v宣布計劃延長Micron部分SDR和DDR存儲產(chǎn)品的壽命

射頻功率、成像和高可靠性半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè) e2v aerospace and defense, Inc. (e2v ad) 近日宣布，將延長世界領(lǐng)先高級存儲解決方案供應(yīng)商之一 Mic...

Micron e2v 2016-09-12

DDR的前世與今生（一）

　　DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進而來，嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們...

DDR DRAM 2016-09-07

信號在PCB走線中傳輸時延

　　信號在媒質(zhì)中傳播時，其傳播速度受信號載體以及周圍媒質(zhì)屬性決定。在PCB(印刷電路板)中信號的傳輸速度就與板材DK(介電常數(shù))，信號模式，信號線與信號線間耦合以及繞線方式等有關(guān)。隨著PCB走線信號速率越來越高，對時序要...

PCB DDR 2015-06-19

是德科技于 DesignCon 展會上展示高速數(shù)字設(shè)計與測試解決方案

　　是德科技公司日前在 DesignCon 2015 展會上展示其高速數(shù)字解決方案。本屆展會于 1 月 28 日到 29 日在美國加州圣克拉拉會展中心舉行，是德科技展位設(shè)于第 725 號展臺。是德科技非常自豪能夠接替其前...

是德科技 DDR 2015-02-02

DDR Memory 系統(tǒng)裕量的特性化研究

　　Memory是系統(tǒng)運行和性能的核心。設(shè)計人員需要更好地了解內(nèi)存子系統(tǒng)，以優(yōu)化系統(tǒng)吞吐能力。　　如今Memory炙手可熱。最近在加利福尼亞州舉行的2014 MemCon盛況空前，展廳里展示了幾乎所有關(guān)于Memory...

MEMCON Memory 2014-11-13

達成最佳效能/成本的服務(wù)器ASIC IP與系統(tǒng)整合實現(xiàn)40nm高成本效益制造

　　彈性客制化IC設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)廠商(Flexible ASIC Leader™)創(chuàng)意電子(Global Unichip Corp.，GUC)與高度創(chuàng)新的fabless Soc – centric IC...

創(chuàng)意電子 ASIC 2014-08-12

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：...

ARM11 DDR 2013-12-24

ddr