EEPW
技術(shù)應(yīng)用
雙極型晶體管(Bipolar Transistor) 由兩個背靠背PN結(jié)構(gòu)成的具有電流放大作用的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點接觸晶體三極管,50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu):PNP型和NPN型。在這3層半導(dǎo)體中,中間一層稱基區(qū),外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。
HBM4競爭格局生變
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國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備加速崛起
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