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為什么經(jīng)常要求MOS管快速關(guān)斷，而不要求MOS管快速開通？

上期文章“MOS管損耗理論計(jì)算公式推導(dǎo)及LTspice仿真驗(yàn)證”我們理論計(jì)算了MOS管的開關(guān)損耗。這期來說明一個(gè)問題：為什么我們很多時(shí)候要求MOS管快速關(guān)斷，而沒有要求MOS管快速開通？下面是常見的MOS管的驅(qū)動(dòng)電路MO...

MOS 2026-01-29

關(guān)于0.42mΩ超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場(chǎng)應(yīng)用與挑戰(zhàn)

在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，MOSFET作為開關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導(dǎo)通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)選。然而，在實(shí)際市...

MOS 2025-12-16

BMS設(shè)計(jì)中如何選擇MOSFET——關(guān)鍵考慮因素與最佳實(shí)踐

在電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，辰達(dá)半導(dǎo)體 MOSFET作為開關(guān)元件，負(fù)責(zé)電池充放電、均衡、過流保護(hù)和溫度控制等功能的實(shí)現(xiàn)。MOSFET的性能直接影響系統(tǒng)的效率、可靠性和安全性。因此，在選擇MOSFET時(shí)需要綜合考慮多個(gè)...

MOS 2025-12-15

BMS主動(dòng)均衡與被動(dòng)均衡的工程設(shè)計(jì)差異及核心元器件解析

在電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，均衡策略始終是工程團(tuán)隊(duì)必須優(yōu)先處理的問題之一。無論是電動(dòng)兩輪車、儲(chǔ)能系統(tǒng)還是消費(fèi)類鋰電產(chǎn)品，電芯一致性差都會(huì)導(dǎo)致容量無法完全釋放、整包壽命降低甚至觸發(fā)過充風(fēng)險(xiǎn)。工程上最常見的兩類方案是主動(dòng)...

MOS 2025-11-17

MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比：中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景，能夠有效提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)的效率與穩(wěn)定性。本...

MOS 2025-07-07

并聯(lián)MOSFET設(shè)計(jì)指南：均流、寄生參數(shù)與熱平衡

在現(xiàn)代高效電源設(shè)計(jì)中，MOSFET并聯(lián)技術(shù)廣泛應(yīng)用于要求大電流承載能力的電路中，如電動(dòng)汽車、電源供應(yīng)、功率放大器等。通過并聯(lián)多個(gè)MOSFET，可以大幅提高電路的電流處理能力、降低導(dǎo)通損耗，并增強(qiáng)系統(tǒng)的整體可靠性。然而，M...

MOS 2025-07-04

MOS管選型十大陷阱：參數(shù)誤讀引發(fā)的血淚教訓(xùn)MDD

在電力電子設(shè)計(jì)中，MOS管選型失誤導(dǎo)致的硬件失效屢見不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數(shù)引發(fā)炸管，直接損失50萬元。本文以真實(shí)案例為鑒，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體帶您解析MOS管選型中的十大參數(shù)陷阱，為工程師提供避坑指南。一、VD...

MOS 2025-03-04

電流不大，MOS管為何發(fā)熱

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)與應(yīng)用中，MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）作為一種常見的開關(guān)元件廣泛應(yīng)用于各種電路中。然而，有時(shí)候即使電流不大，MOS管也會(huì)出現(xiàn)發(fā)熱現(xiàn)象，這不僅會(huì)影響其性能，還可能導(dǎo)致設(shè)備的長期穩(wěn)定性問題。本文將分析在電流不大時(shí)，M...

MOS 2025-02-07

MOS管在不同電路中有什么作用

MOS管，全稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是電子電路中非常重要的一種元件。它在不同電路中具有多種作用，以下是MO...

MOS 2025-01-11

MOS管的常見應(yīng)用領(lǐng)域分析

MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）管是現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分，因其開關(guān)速度快、功耗低、體積小等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備和系統(tǒng)中。根據(jù)功能和特性，MOS管的應(yīng)用覆蓋了電源管理、信號(hào)處理、通信設(shè)備、汽車電子等眾多領(lǐng)域。我們將...

MOS 2024-12-26

金屬氧化物和柔性石墨烯MOS的區(qū)別

隨著新材料和新技術(shù)的不斷發(fā)展，金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）和柔性石墨烯MOS（Graphene MOS）作為兩種重要的半導(dǎo)體材料，在電子設(shè)備和器件的應(yīng)用中越來越受到關(guān)注。盡管它們都可以用作金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MO...

MOS 2024-12-19

MOS管在電池管理系統(tǒng)（BMS）中應(yīng)用的解析

隨著電動(dòng)汽車（EV）、可再生能源存儲(chǔ)和便攜式半導(dǎo)體電子設(shè)備的快速發(fā)展，電池管理系統(tǒng)（BMS）在保障電池安全、延長使用壽命和提高效率方面的作用變得越來越重要。MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在BMS中具有不可...

MOS 2024-12-04

自有SiC Mos已批量應(yīng)用于主驅(qū)，產(chǎn)能達(dá)9000片/月

8月19日晚，功率半導(dǎo)體IDM龍頭士蘭微(600460)發(fā)布半年度業(yè)績報(bào)告，2024年上半年?duì)I業(yè)收入約52.74億元，同比增加17.83%，創(chuàng)出歷史同期新高。公司營業(yè)利潤為 14,743 萬元，比 2023 年同期增加虧...

SiC Mos 2024-08-21

一文了解場(chǎng)效應(yīng)三極管型號(hào)規(guī)則及參數(shù)含義

我們已經(jīng)了解場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡稱MO...

mos 場(chǎng)效應(yīng)管 2024-04-23

MOS管在戶用儲(chǔ)能上的應(yīng)用

一、前言?戶用儲(chǔ)能又稱家庭儲(chǔ)能系統(tǒng)，類似于微型儲(chǔ)能電站，是分布式能源（DER）的重要組成部分，其運(yùn)行不受城市供電壓力影響。戶用儲(chǔ)能產(chǎn)品系統(tǒng)通常由電池組、電池管理系統(tǒng)（BMS）、儲(chǔ)能變流器（PCS）和能量管理系統(tǒng)（EMS）...

mos 儲(chǔ)能 2023-10-12

一種典型的三極管和MOS管結(jié)合的開關(guān)控制電路

本篇博文分享在實(shí)際工作中經(jīng)常使用的一種典型的三極管和MOS管結(jié)合的開關(guān)控制電路，關(guān)于三極管和MOS管的基礎(chǔ)使用方法可以參見下文說明。一文搞懂三級(jí)管和場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)及使用最近在工作中見到一種開關(guān)控制電路，MCU控制三...

MOS 三極管 2023-04-25

RS瑞森半導(dǎo)體在汽車充電樁上的應(yīng)用

一、前言充電樁按照技術(shù)分類，可分為交流充電樁也叫“慢充”，直流充電樁也叫“快充”，隨著我國新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)的發(fā)展前景也更加廣闊。目前充電樁的母線電壓范圍通常為400V～700V，但隨著快速充電的需求不...

MOS 汽車充電樁 2023-04-17

MOS FET繼電器(無機(jī)械觸點(diǎn)繼電器)設(shè)計(jì)輸入側(cè)電源時(shí)的電流值概念

設(shè)計(jì)輸入側(cè)電源時(shí)的問題機(jī)械式繼電器、MOS FET繼電器分別具有不同的特長。基于對(duì)MOS FET繼電器所具小型及長壽命、靜音動(dòng)作等優(yōu)勢(shì)的需求，目前已經(jīng)出現(xiàn)了所用機(jī)械式繼電器向MOS FET繼電器轉(zhuǎn)化的趨勢(shì)。但...

MOS FET繼電器 2023-03-07

詳細(xì)說明功率放大器有哪些類型

在前面的文章中，金譽(yù)半導(dǎo)體有講過，功率放大器（簡稱：功放）（Power Amplifier）“功率放大器”，顧名思義，是將“功率”放大的放大器。進(jìn)入微弱的信號(hào)，如話筒、VCD、微波等等送到前置放大電路，放大成足以推動(dòng)功率...

功率放大器晶體管 2023-01-11

MOS管如何在開關(guān)電路中使用？

MOS管也就是常說的場(chǎng)效應(yīng)管（FET），有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（又分為增強(qiáng)型和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管）。也可以只分成兩類P溝道和N溝道，這里我們就按照P溝道和N溝道分類。場(chǎng)效應(yīng)管的作用主要有信號(hào)的轉(zhuǎn)換、控制電路的通斷，...

MOS 2022-12-15

IGBT是什么？它是如何驅(qū)動(dòng)電路的

我們之前有介紹過什么是IGBT，不過主要是從結(jié)構(gòu)上對(duì)其進(jìn)行了剖析，并未深入介紹，今天金譽(yù)半導(dǎo)體再從其他角度來充分了解一下IGBT的具體信息。此文信息量有點(diǎn)大，供大家參考。 IGBT的特點(diǎn)可以從其...

IGBT 絕緣柵 2022-12-08

工程師必看！MOS管幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。1、電源IC直接驅(qū)動(dòng)電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡單的驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些...

MOS 驅(qū)動(dòng)電路 2022-11-09

芯片研發(fā)過程中的可靠性測(cè)試——碳化硅功率器件

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體經(jīng)典的應(yīng)用，具有眾多自身優(yōu)勢(shì)和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，它所制成的功率器件在生活中運(yùn)用十分廣泛，越來越無法離開，因此使用碳化硅產(chǎn)品的穩(wěn)定性在一定程度上也決定了生活的質(zhì)量。作為高尖精的產(chǎn)品，芯片的可靠性測(cè)試貫徹始終，...

碳化硅 mos 2022-11-03

MOS管和三極管相比有何不同

晶體管是一個(gè)簡單的元器件，有非常多的種類。最常見的兩種晶體管應(yīng)該要屬雙極型晶體管（三極管）和MOS管了吧，那它倆之間的區(qū)別是什么呢？先讓我們?cè)購?fù)習(xí)一下之前所說的：三極管分為兩種：NPN和PNP。NPN是一個(gè)雙極結(jié)晶體管（...

MOS 三極管 2022-11-02

MOS管當(dāng)開關(guān)控制時(shí)，為什么一般用PMOS做上管NMOS做下管？

1、NMOS、PMOS基本特性　　了解MOS管的開通/關(guān)斷原理你就會(huì)發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。　　下面先了解MO...

MOS 開關(guān)控制 2022-10-18

常見的幾種功率半導(dǎo)體器件有哪些？

我們知道功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，它利用半導(dǎo)體單向?qū)щ姷奶匦裕淖冸娮友b置中電壓、頻率、相位和直流交流轉(zhuǎn)換等功能。根據(jù)可控性和其他使用因素，功率器件分成了很多種類別，其中常見的分類有： MO...

功率器件碳化硅 2022-07-06

常見的大功率器件有哪些？如何分類的

在知道大功率器件之前，我們要先知道功率器件是什么意思，功率器件是電子元件和電子器件的總稱，是電子裝置中，電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，它利用半導(dǎo)體單向?qū)щ姷奶匦愿淖冸娮友b置中電壓、頻率、相位和直流交流轉(zhuǎn)換等的功能。而大功率器...

大功率器件二極管 2022-06-10

MOS管在電動(dòng)車控制板中幾個(gè)應(yīng)用

一、MOS管應(yīng)用電路MOS驅(qū)動(dòng)，有幾個(gè)特別的需求:低壓應(yīng)用當(dāng)運(yùn)用5V電源，這時(shí)分假如運(yùn)用傳統(tǒng)的圖騰柱構(gòu)造，由于三極管的Vbe有0.7V左右的壓降，招致實(shí)踐最終加在Gate上的電壓只要4.3V。這時(shí)分，我們選用標(biāo)稱Gate...

MOS 電動(dòng)車 2021-12-11

優(yōu)選一款在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中代換SVG10120NAT場(chǎng)效應(yīng)管的使用型號(hào)！

在電機(jī)的設(shè)計(jì)開發(fā)中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)是采用N溝道MOSFET構(gòu)建H橋驅(qū)動(dòng)電路，H 橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路，由于它的電路外形酷似字母 H，故得名曰“H 橋”。由此可知，MOS管的選擇使用就是電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的核心。其中H橋功率...

MOS 2021-10-01

MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉？

下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)...

MOS 2021-08-25

干貨 | 電阻，電感，電容，MOSFET主要特性參數(shù)

電阻主要特性參數(shù)電阻的主要參數(shù)有電阻阻值，允許誤差，額定功率，溫度系數(shù)等1、標(biāo)稱阻值：電阻器上面所標(biāo)示的阻值。2、允許誤差：標(biāo)稱阻值與實(shí)際阻值的差值跟標(biāo)稱阻值之比的百分?jǐn)?shù)稱阻值偏差，它表示電阻器的精度。3、額定功率：在正...

MOS 2021-08-15

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C-MOS