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美光新晶圓廠破土動工 十年投資240億美元

發布人:ht1973 時間:2026-01-28 來源:工程師 發布文章

當地時間周一,美光科技宣布,位于新加坡現有NAND閃存制造園區內的先進晶圓制造廠正式破土動工,計劃未來十年投資約240億美元,預計2028年下半年投產。這筆投資將創造約1600個就業崗位。

該工廠將成為新加坡首座雙層晶圓制造工廠,建成后將提供約70萬平方英尺的無塵室空間。

此次投資聚焦NAND閃存領域,將有助于美光滿足人工智能(AI)驅動的對NAND閃存不斷增長的市場需求。

這項新投資,預計也將鞏固新加坡在先進NAND閃存制造領域的領導地位。NAND閃存是一種斷電后數據仍可保存、廣泛用于固態硬盤、U盤和手機存儲里的非易失性存儲芯片。

美光在新加坡已經擁有規模龐大的制造設施,其98%的閃存芯片都在那里生產。該公司還在新加坡投資建設了一座價值70億美元的先進封裝工廠,用于生產人工智能芯片所需的高帶寬內存(HBM),該工廠預計將于2027年開始投產。

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關鍵詞: 半導體

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