三星和東芝今天共同宣布，雙方將協力支持新一代高性能NAND閃存技術：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規范。兩家公司將支持這一規范成為行業標準，被業界廣泛接受使用。

　　最初的SDR NAND閃存架構接口速度僅為40Mbps，現行的DDR 1.0標準將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動的toggle DDR 2.0規范則進一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。

　　高速閃存接口的優勢不言而喻，未來將主要用于移動設備、消費電子產品以及固態硬盤等領域，大大提升存儲性能。三星和東芝表示，上個月他們已經開始通過JEDEC固態技術協會推動toggle DDR 2.0技術標準化。