176 層 nand 文章 最新資訊
長江存儲首個LPDDR5工程品送樣 NAND撐起國產
- 存儲器缺貨嚴峻持續(xù)擴大,供應鏈傳出,隨著國際存儲器原廠快速傾斜至服務器市場,導致消費性、汽車市場等將首當其沖,國內NAND Flash領導大廠長江存儲傳將被賦予關鍵的維穩(wěn)大任,優(yōu)先支持中國特定產業(yè)與應用,確保內需供應鏈穩(wěn)定,以避免發(fā)生斷供、企業(yè)裁員的惡性沖擊。供應鏈人士也透露,長江存儲已不滿足于僅作為3D NAND的中國領頭羊,近來低調切入DRAM與高帶寬記憶體(HBM)技術領域,日前更已完成LPDDR5工程樣品開發(fā),預計2026年下半啟動的武漢三期新廠,近期已經(jīng)封頂,并將以DRAM為擴產重心。 隨著在產
- 關鍵字: 長江存儲 LPDDR5 NAND
卷翻內存市場 中國存儲廠商加速擴張產能
- 全球存儲器市場爆發(fā)缺貨潮,NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產能,原定于2027年量產的武漢新廠已大幅提前,最快將在今(2026)年下半年正式投產。 此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來競爭壓力,后續(xù)發(fā)展備受市場關注。長江存儲祭彎道超車奇招朝鮮日報英文版《The Chosun Daily》報道,長江存儲武漢三廠于2025年9月動工,原先預估須待2027年才具備正式量產條件。 然而,當?shù)匕雽w業(yè)界人士透露,長江存儲近期已密集下達NAND Flash生產設備采購訂單,并同步進行工廠啟動與產
- 關鍵字: 內存 存儲廠商 NAND 閃存 長江存儲
上調100%!存儲市場又一重磅調價信號
- 三星今年第一季度對NAND閃存的供應合約價格已上調超過100%,目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露,三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應合同談判,從一月起正式實施新的價格體系。另外,SK海力士也對NAND產品采取了類似的定價策略;存儲芯片大廠SanDisk也計劃在一季度將面向企業(yè)級的NAND價格上調100%。目前,三星已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判,市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續(xù)。市場研究機構TrendForce的數(shù)據(jù)顯示,去年第四季度NAND閃存價格漲幅為上一季度的3
- 關鍵字: 存儲 NAND DRAM 三星 SK海力士
蘋果iPhone 18系列售價曝光:起步維持原價,大容量版本起飛
- 1 月 20 日消息,基于花旗集團、美國銀行及摩根大通的分析報告,受 RAM 內存和 NAND 閃存組件成本飆升影響,在 iPhone 18 系列售價方面,蘋果雖然會極力維持起步機型的發(fā)售價與前代持平,但在高存儲容量版本上,消費者將面臨比以往更大的價格漲幅。Freedom Capital Markets 技術研究主管 Paul Meeks 分析認為,全球科技企業(yè)對 AI 算力的狂熱需求,導致內存市場供不應求,這種短缺狀態(tài)預計將至少持續(xù)兩年。即便蘋果擁有強大的供應鏈議價能力,也難以完全消化這部分上漲的物料清
- 關鍵字: 蘋果iPhone 18 原價 大容量版本 RAM 內存 NAND 閃存
內存現(xiàn)貨價格更新:DRAM飆升,賣家壓制庫存,主流DDR4上漲10%
- 根據(jù)TrendForce最新的記憶現(xiàn)貨價格趨勢報告,關于DRAM的現(xiàn)貨價格持續(xù)日復一日上漲,盡管交易依然低迷,供應商和交易員囤積庫存,推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價格上漲9.64%。與此同時,在NAND,盡管一些買家采取了觀望態(tài)度,現(xiàn)貨交易者對未來價格趨勢持樂觀態(tài)度,卻拒絕降價以刺激銷售。詳情如下:DRAM現(xiàn)貨價格:受強勁的合約價格上漲推動,現(xiàn)貨價格連續(xù)日漲。然而,由于供應商和交易商不愿釋放庫存,交易量依然受限。主流芯片(即DDR4 1Gx8 3200MT/s)的平均現(xiàn)貨價格已從上
- 關鍵字: DDR4 DRAM NAND
傳三星將采用長江存儲專利混合鍵合技術:用于400+層的第10代V-NAND閃存
- 上個月有報道稱,長江存儲(YMTC)已經(jīng)開始出貨第五代3D TLC NAND閃存,共有294層,以及232個有源層。長江存儲已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平,實現(xiàn)了最高的垂直柵密度,也是現(xiàn)階段商業(yè)產品中最高的,使其成為了全球NAND閃存市場的有力競爭者。據(jù)TrendForce報道,三星將從第10代V-NAND閃存開始,采用長江存儲的專利混合鍵合技術。三星的目標是在2025年下半年開始量產第10代V-NAND閃存,預計總層數(shù)達到420層至430層。此外,傳聞SK海力士也正在與長江存儲進行專利協(xié)議的談判。
- 關鍵字: 三星 長江存儲 混合鍵合技術 NAND 閃存
SK海力士發(fā)布了5位NAND,可分割單元,實現(xiàn)20×更快的讀取速度
- 存儲巨頭在NAND容量擴展上謹慎行事,逐步淘汰MLC(多級單元)等老產品,同時加倍投入先進技術。值得一提的是,在2025年12月舊金山IEDM大會上,SK海力士發(fā)布了其尖端的5位NAND閃存,聲稱其讀取速度比傳統(tǒng)PLC(五級單元)快達20×,Blocks & Files報道。據(jù)報道,SK海力士的多點小區(qū)(MSC)NAND技術將每個3D NAND小區(qū)一分為二,提升每個小區(qū)的數(shù)據(jù)容量,同時將電壓狀態(tài)數(shù)量減少約三分之二。Blocks & Files指出,這一突破展示了SK海力士自2022年起開發(fā)
- 關鍵字: NAND SK海力士
兆易創(chuàng)新GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash
- 一、產品概述中國北京(2025年4月15日)—— 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash,該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理(BBM)功能,可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案,GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇,成為安防、工業(yè)、IoT等快
- 關鍵字: 兆易創(chuàng)新 GD5F1GM9 QSPI NAND Flash CES 2026
長江存儲對美國國防部、商務部發(fā)起訴訟
- 據(jù)路透社消息,中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發(fā)起了訴訟。12月5日,長江存儲于美國華盛頓聯(lián)邦法院對美國防部提起訴訟,要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認定。長江存儲成立于2016年7月,是國內專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路廠商,旗下有零售存儲品牌致態(tài)。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》,位列中國十大獨角獸第9、全球第21,成為半導體行業(yè)估值最高的新晉獨角獸。
- 關鍵字: 長江存儲 3D NAND 閃存 存儲器
176 層 nand介紹
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