EEPW
技術應用
目錄Top[url]概述 設計 發展 DDR3內存的技術改進 [/url] 概述 針對Intel新型芯片的一代內存技術(但目前主要用于顯卡內存),頻率在800M以上,和DDR2相比優勢如下: (1)功耗和發熱量較?。何×薉DR2的教訓,在控制成本的基礎上減小了能耗和發熱量,使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。 (2)工作頻率更高:由于能耗降低,DDR3可實現更高的工作頻率,在一定程度彌補了延遲時間較長的缺點,同時還可作為顯卡的賣點之一,這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現。 (3)降低顯卡整體成本:DDR2顯存顆粒規格多為4M X 32bit,搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存規格多為8M X 32bit,單顆顆粒容量較大,4顆即可構成128MB顯存。
HBM4競爭格局生變
長江存儲進入加速期,三期項目計劃今年建成投產
國產半導體設備加速崛起
上調100%!存儲市場又一重磅調價信號
插混車型成為“突破口”:中國車企在歐洲市場的銷量再創新高
2026-02-13 XMOS 語音交互
2026-02-13 英飛凌 陽光電源
2026-02-13 Ceva Wi-Fi 6 IP 藍牙IP 瑞薩 組合式MCU
2026-02-13 測試測量 Pickering 信號開關與仿真
2026-02-13 羅蘭貝格 Jonas Andrulis 人工智能應用
2026-02-13 應用材料公司 2026財年第一季度
2026-02-13 平板市場 國補 換機
2026-02-13 PCB
2026-02-13 PCB 硅谷
2026-02-13 安世半導體 聞泰科技
DDR3