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芯片巨頭，「扔掉」這些業(yè)務(wù)

上半年，時(shí)至過(guò)半。回顧這半年的半導(dǎo)體市場(chǎng)，似是相對(duì)平靜，但是仔細(xì)回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調(diào)整。它們接連「動(dòng)刀」，果斷退出部分產(chǎn)品領(lǐng)域。在這個(gè)過(guò)程中會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，...

DDR3 DDR4 2025-06-09

DDR3單元測(cè)試規(guī)范

一、測(cè)試目的DDR3的測(cè)試分為三類(lèi)：1、直流參數(shù)測(cè)試（DC Parameter Testing）：校驗(yàn)工作電流、電平、功率、扇出能力、漏電流等參數(shù)特性。內(nèi)存的工作電流與功耗、負(fù)載有關(guān)，工作電流過(guò)高時(shí)，將造成功耗過(guò)高，給系...

內(nèi)存 DDR3 2025-05-12

燦芯半導(dǎo)體推出DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP

近日，一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司宣布推出基于28HKD?0.9V/2.5V?平臺(tái)的DDR3/4, LPDDR3/4?Combo?IP?。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3, DDR...

燦芯半導(dǎo)體 DDR3/4 2025-03-25

DDR3內(nèi)存正式終結(jié)！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價(jià)20％

5月15日消息，據(jù)市場(chǎng)消息稱(chēng)，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務(wù)器都不再使用，但因?yàn)榉浅３墒欤暮蛢r(jià)...

存儲(chǔ) DDR3 2024-05-15

「落后」的內(nèi)存要大幅漲價(jià)，中國(guó)廠商迎來(lái)商機(jī)

當(dāng)下，AI 服務(wù)器系統(tǒng)和應(yīng)用最為火爆，其對(duì) DDR5 和 HBM 的需求量大增，因此，在全球內(nèi)存市場(chǎng)，DDR5 和 HBM 成為大宗存儲(chǔ)器市場(chǎng)的寵兒。AI 大模型持續(xù)迭代升級(jí)，參數(shù)持續(xù)增長(zhǎng)，大模型的參數(shù)規(guī)模越大，算力負(fù)擔(dān)...

DDR3 2024-03-19

第三季利基型DRAM價(jià)格持平，DDR3具成本優(yōu)勢(shì)短期仍為主流

　　根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心最新調(diào)查，DRAM原廠已陸續(xù)與客戶(hù)談定7月份利基型內(nèi)存合約價(jià)，價(jià)格大致和6月相同。展望第三季，預(yù)期DDR4利基型內(nèi)存報(bào)價(jià)水平將較接近主流標(biāo)準(zhǔn)型與服務(wù)器內(nèi)存，因原廠可透過(guò)封裝打線形式的改變(b...

DRAM DDR3 2018-08-07

內(nèi)存狂漲價(jià)：臺(tái)灣南亞量產(chǎn)DDR3/4

　　內(nèi)存價(jià)格持續(xù)上漲，主要是源頭的三星、SK海力士、美光三大家DRAM顆粒供應(yīng)嚴(yán)重不足，而且整個(gè)2018年都不會(huì)緩和。　　其實(shí)在臺(tái)灣還有一家DRAM廠商南亞科技，只是市場(chǎng)規(guī)模偏小而已。DRAM市場(chǎng)需求如此旺盛的情況下...

內(nèi)存 DDR3 2017-10-27

DDR3與DDR2內(nèi)存區(qū)別

DDR3內(nèi)存相對(duì)于DDR2內(nèi)存，其實(shí)只是規(guī)格上的提高，并沒(méi)有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3同DDR2接觸針腳數(shù)目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量?jī)?nèi)存的支持較好，而大容量?jī)?nèi)存的分水嶺是4GB這個(gè)容量，4GB...

DDR3 DDR2 2017-06-12

DDR4內(nèi)存的未來(lái)

我們知道現(xiàn)在DDR3內(nèi)存逐步發(fā)展，已經(jīng)成為目前主流的選擇，而且現(xiàn)在性能最高也達(dá)到了DDR3-2133，明年DDR4內(nèi)存將會(huì)出現(xiàn)，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)傳輸率將會(huì)從1600起跳，可以達(dá)到4266的水平....

DDR4內(nèi)存 Intel 2017-06-08

DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP加速了數(shù)據(jù)處理應(yīng)用

DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而，和過(guò)去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲(chǔ)器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，使用一個(gè)高效且易于使用的DDR3存儲(chǔ)器接口控...

DDR3 存儲(chǔ)器 2017-06-05

DDR4陣營(yíng)持續(xù)擴(kuò)大將首度超越DDR3

　　第四代高速DRAM存儲(chǔ)器DDR4自2014年上市以來(lái)，銷(xiāo)售額在整體DRAM存儲(chǔ)器總銷(xiāo)售額中的占比不斷成長(zhǎng)。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷(xiāo)售額占比更是飆升至45%，大...

DDR4 DDR3 2017-04-20

FPGA與DDR3 SDRAM的接口設(shè)計(jì)

DDR3 SDRAM內(nèi)存的總線速率達(dá)到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz)，1.5V的低功耗工作電壓，采用90nm制程達(dá)到2Gbits的高密度。這個(gè)架構(gòu)毫無(wú)疑問(wèn)更快、更大，每比特的功...

SDRAM FPGA 2016-10-18

基于FPGA的DDR3多端口讀寫(xiě)存儲(chǔ)管理設(shè)計(jì)

引言本文以Xilinx公司的Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片Micron公司的MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺(tái)，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多...

存儲(chǔ)器控制多端口 2016-10-16

基于FPGA的DDR3控制器設(shè)計(jì)

基于FPGA的DDR3控制器設(shè)計(jì),摘要介紹了DDR3 SDRAM的技術(shù)特點(diǎn)、工作原理，以及控制器的構(gòu)成。利用Xilinx公司的MIG軟件工具在Virtex-6系列FPGA芯片上，實(shí)現(xiàn)了控制器的設(shè)計(jì)方法，并給出了ISim...

FPGA DDR3 SDRAM控制器 2016-09-12

iSuppli明年第2季DDR3躍登DRAM市鮒髁

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) iSuppli 的最新預(yù)測(cè)，DDR3 (Double Data Rate 3) 標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在 2010 年第 2 季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球 DRAM 市場(chǎng)出貨占比可望突破 50%。以單位出...

微處理器 DDR3 2016-09-12

Xilinx MIG IP核的研究及大容量數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的實(shí)現(xiàn)

為了使DDR3 SDRAM更方便、多樣地用于工程開(kāi)發(fā)中，本文對(duì)XILINX公司DDR3 SDRAM提供的MIG核進(jìn)行了分析研究，并在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了大容量數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的邏輯設(shè)計(jì)。通過(guò)對(duì)系統(tǒng)中各模塊的作用及相互間關(guān)系的研究，發(fā)...

MIG核 FIFO 2016-07-28

基于FPGA的DDR3多端口讀寫(xiě)存儲(chǔ)管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　機(jī)載視頻圖形顯示系統(tǒng)主要實(shí)現(xiàn)2D圖形的繪制，構(gòu)成各種飛行參數(shù)畫(huà)面，同時(shí)疊加實(shí)時(shí)的外景視頻。由于FPGA具有強(qiáng)大邏輯資源、豐富IP核等優(yōu)點(diǎn)，基于FPGA的嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)是機(jī)載視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖...

FPGA DDR3 2015-03-28

小改變大不同揭秘DDR4內(nèi)存與DDR3區(qū)別

DDR3內(nèi)存自從2007年服役以來(lái)，至今已經(jīng)走過(guò)了8個(gè)年頭。相比Intel的更新?lián)Q代步伐來(lái)說(shuō)，內(nèi)存發(fā)展可謂相當(dāng)緩慢。不過(guò)好在2014年底，各大廠商紛紛上架DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，起跳頻率達(dá)到2133MHz，標(biāo)志著DDR3時(shí)代的...

DDR4 DDR3 2015-03-01

美高森美與 New Wave DV合作開(kāi)發(fā)用于以太網(wǎng)和光纖通道解決方案的創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品和IP內(nèi)核

　　致力于在電源、安全、可靠和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布與New Wave Design & Verification (New ...

美高森美 FPGA 2014-12-23

Intel絕妙創(chuàng)意：同時(shí)兼容DDR3/DDR4規(guī)格

　　以往每次內(nèi)存更新?lián)Q代的時(shí)候，Intel總是同時(shí)提供支持，主板廠商也會(huì)推出一些同時(shí)有兩種插槽的板子，給大家更多選擇，但是這一次的Haswell-E，Intel狠心只支持DDR4(據(jù)說(shuō)其實(shí)也支持DDR3但屏蔽了)，實(shí)在有...

Intel DDR3 2014-12-01

關(guān)于數(shù)Gpbs高速存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)的分析

　　游戲機(jī)、數(shù)字電視(DTV)和個(gè)人電腦等流行的消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的功能越來(lái)越多，性能也越來(lái)越高。這些產(chǎn)品數(shù)據(jù)處理能力的增強(qiáng)使它們的DRAM存儲(chǔ)器接口功能與產(chǎn)品本身的功能緊密聯(lián)系在一起，以支持更多功能和更高性能。數(shù)據(jù)速率達(dá)數(shù)...

存儲(chǔ)器 DRAM 2014-10-19

第一季度DRAM營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng) 市場(chǎng)保持上行走勢(shì)

　　據(jù)IHS公司的DRAM市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，在平均銷(xiāo)售價(jià)格上升的推動(dòng)下，DRAM市場(chǎng)繼續(xù)上行，第一季度營(yíng)業(yè)收入連續(xù)第二個(gè)月環(huán)比增長(zhǎng)。　　今年1-3月DRAM營(yíng)業(yè)收入從2012年第四季度的67億美元增長(zhǎng)到71億美元，而且高...

DRAM DDR3 2013-06-06

針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)

摘要　　本文章主要涉及到對(duì)DDR2和DDR3在設(shè)計(jì)印制線路板（PCB）時(shí)，考慮信號(hào)完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng)，這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB層數(shù)，特別是4層板的情況下的相關(guān)技術(shù)，其中...

DDR3 DDR 2013-01-09

IDT推出業(yè)界最低功率DDR3-1866內(nèi)存緩沖芯片

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前推出業(yè)界首款低功率DDR3 ...

IDT DDR3 2012-11-15

IDT公司推出業(yè)界首款低功率內(nèi)存緩沖芯片

　　擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR...

IDT DDR3 2012-11-12

相當(dāng)重口味!獨(dú)家華碩ROG主板暴力拆解

　　泡泡網(wǎng)主板頻道3月7日一提到華碩的高端主板，我們首先都會(huì)想到華碩的ROG些列主板產(chǎn)品，其定位頂級(jí)發(fā)燒用戶(hù)，其極致的超頻性能以及相當(dāng)奢華且精致的做工用料一直是廣大DIY愛(ài)好者做夢(mèng)都想得到的頂級(jí)裝備。　　不過(guò)，對(duì)于...

華碩主板 2012-07-04

DDR3測(cè)試的挑戰(zhàn)及解決方法

前言作為DDR2的繼任者，根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn), 目前DDR3的數(shù)據(jù)速率跨度從800Mbps開(kāi)始直至1.6Gbps。在帶給用戶(hù)更快性能體驗(yàn)的同時(shí), DDR3卻能保持較低的功耗，相比DDR2減少約20%。雖然2008年整個(gè)D...

DDR3 測(cè)試 2012-03-22

DRAM價(jià)格十一月繼續(xù)走低

　　根據(jù)集邦科技旗下研究部門(mén)DRAMeXchange的調(diào)查，受到泰國(guó)水患影響硬盤(pán)供應(yīng)鏈，以及正逢P(guān)C步入淡季，DRAM 11月下旬合約價(jià)再跌，DDR3 4GB跌幅約7.9%，2GB跌幅近7.3%，雖然南科與爾必達(dá)宣布減產(chǎn)...

DRAM DDR3 2011-11-29

爾必達(dá)25nm制程4Gbit內(nèi)存顆粒開(kāi)發(fā)完成

　　爾必達(dá)曾宣布采用25nm工藝制造的2Gbit內(nèi)存顆粒正式開(kāi)始出貨。今日該公司正式發(fā)表公告稱(chēng)，采用25nm新工藝制造的4Gbit DDR3 SDRAM顆粒研發(fā)完成，芯片面積在同類(lèi)產(chǎn)品(4Gbit DRAM顆粒)中屬世界...

爾必達(dá) DDR3 2011-09-23

是好是壞全球內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格近日大漲

　　內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格近日持續(xù)大漲，DDR32GB有效測(cè)試顆粒(eTT)現(xiàn)貨價(jià)19日大漲6.91%，順利站上1美元大關(guān)，漲勢(shì)從而引發(fā)市況好轉(zhuǎn)的聯(lián)想。　　南亞科技副總經(jīng)理白培霖表示，返校需求沒(méi)有預(yù)期差，加上內(nèi)地十一長(zhǎng)假的備料...

內(nèi)存 DDR3 2011-09-21

第三季度及下半年 DRAM價(jià)格預(yù)計(jì)下挫

　　據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)報(bào)告，第三季度DRAM市場(chǎng)將面臨供應(yīng)嚴(yán)重過(guò)剩和價(jià)格下滑的局面，導(dǎo)致下半年DRAM供應(yīng)商陷入困境。　　主流DRAM產(chǎn)品——2Gb DDR3的平均銷(xiāo)售價(jià)格預(yù)計(jì)第三季度將降到1...

iSuppli DRAM 2011-08-18

第3季度DRAM展望

　　第2季DRAM報(bào)價(jià)下跌幅度相當(dāng)大，主要是日本311地震后，下游客戶(hù)擔(dān)心斷鏈危機(jī)擴(kuò)大，因此提前拉貨，但最后發(fā)現(xiàn)PC終端需求低于預(yù)期，導(dǎo)致整個(gè)第2季記憶體市場(chǎng)都處于消化庫(kù)存情況，且一直到第3季庫(kù)存水位仍是偏高，因此DRA...

DRAM DDR3 2011-07-20

DDR3仍是主流DRAM技術(shù)

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。　　...

DDR3 DRAM 2011-06-28

一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營(yíng)收環(huán)比降低4%

　　市場(chǎng)調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布的全球一季度DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示，DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)該季度營(yíng)收83億美元，相比去年第四季度的86億美元下降4%。　　...

DRAM DDR3 2011-05-06

內(nèi)存芯片廠商醞釀漲價(jià)

　　據(jù)《蘋(píng)果日?qǐng)?bào)》援引匿名消息提供者的說(shuō)法稱(chēng)，由于PC OEM廠商正在積極囤積庫(kù)存，內(nèi)存芯片廠商南亞公司計(jì)劃四月份將其產(chǎn)品的價(jià)格提價(jià)5%。報(bào)道還稱(chēng)三星公司已經(jīng)知會(huì)其客戶(hù)稱(chēng)4月上半月將對(duì)旗下內(nèi)存芯片產(chǎn)品漲價(jià)5-6%，2Gb...

內(nèi)存芯片 DDR3 2011-04-02

爾必達(dá)瑞晶垂直晶體管結(jié)構(gòu)DDR3芯片試產(chǎn)成功

　　日本爾必達(dá)與臺(tái)灣瑞晶公司近日發(fā)表聯(lián)合聲明稱(chēng)兩家公司已經(jīng)成功完成了4F2架構(gòu)設(shè)計(jì)1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產(chǎn)，這次試產(chǎn)是由瑞晶的研發(fā)中心主導(dǎo)的。瑞晶的研發(fā)中心自去年開(kāi)始正式運(yùn)作，他們一直在和爾必達(dá)公司一起...

爾必達(dá) DDR3 2011-02-14

DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用

DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用,DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而，和過(guò)去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲(chǔ)器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲(chǔ)...

視頻數(shù)據(jù)處理 2010-12-13

如何實(shí)現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器的連接

采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲(chǔ)密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無(wú)疑速度更快...

SDRAM FPGA 2010-11-05

爾必達(dá)推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒

　　最近，內(nèi)存顆粒的工藝進(jìn)步速度非常快，最先進(jìn)的30nm工藝甚至已經(jīng)超過(guò)了處理器。在功耗與散熱方面也有了長(zhǎng)足的進(jìn)步。　　今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達(dá)也成功開(kāi)發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDR...

爾必達(dá) DDR3 2010-10-09

三星量產(chǎn)8GB DDR3筆記本電腦內(nèi)存模組

　　三星剛剛公布其量產(chǎn)8GB DDR3筆記本內(nèi)存模組的消息，根據(jù)計(jì)劃，三星將為筆記本和移動(dòng)工作站生產(chǎn)SODIMM接口內(nèi)存模塊，該模塊基于40納米制程，1333MHz頻率，1.5V電壓，比上一代4GB DDR3模組節(jié)電53...

三星 DDR3 2010-09-24