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65nm

半導(dǎo)體制造工藝，指集成電路內(nèi)電路與電路間的距離。在處理器領(lǐng)域，制造工藝可以看作是處理器核心中每一個(gè)晶體管的大小。早期制作工藝采用微米作為單位，隨著近兩年工藝技術(shù)的進(jìn)步，包括處理器、內(nèi)存、顯卡等芯片的制作工藝已經(jīng)全面采用更小的納米單位，而65nm工藝是處理器領(lǐng)域中先進(jìn)的制造工藝。 在生產(chǎn)中一般采用的生產(chǎn)方式是光刻，光刻是在掩模板上進(jìn)行的，宏觀上講，只要提高掩模板的分辨律就能刻出更多MOS管了，但在微觀中，光刻時(shí)要先在硅片上涂一層光刻膠，而所謂的65nm技術(shù)就是在最初柵極上留下65nm寬度的光刻膠，所以每次工藝的升級都伴隨著光刻設(shè)備的升級。

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65nm