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LTPS

什么是低溫多晶硅： 低溫多晶硅LTPS是Low Temperature Ploy Silicon的縮寫(xiě)，一般情況下低溫多晶硅的制程溫度應(yīng)低于攝氏600度，尤其對(duì)LTPS區(qū)別于a-Si制造的制造程序“激光退火”（laser anneal）要求更是如此。與a-Si相比，LTPS的電子移動(dòng)速度要比a-Si快100倍，這個(gè)特點(diǎn)可以解釋兩個(gè)問(wèn)題：首先，每個(gè)LTPS PANEL 都比a-Si PANEL反應(yīng)速度快；其次，LTPS PANEL 外觀尺寸都比a-Si PANEL小。下面是LTPS與a-Si 相比所持有的顯著優(yōu)點(diǎn)： 1、 把驅(qū)動(dòng)IC的外圍電路集成到面板基板上的可行性更強(qiáng)； 2、 反應(yīng)速度更快，外觀尺寸更小，聯(lián)結(jié)和組件更少； 3、 面板系統(tǒng)設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單； 4、 面板的穩(wěn)定性更強(qiáng)； 5、 解析度更高， 激光退火： p-Si 與 a-Si的顯著區(qū)別是LTPS TFT在制造過(guò)程中應(yīng)用了激光照射。LTPS制造過(guò)程中在a-Si層上進(jìn)行了激光照射以使a-Si結(jié)晶。

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