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技術(shù)應(yīng)用
FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor;FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管,閘長已可小于25奈米,未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9奈米,約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導(dǎo)體技術(shù)上的突破,未來芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊売?jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場效晶體管 (Field-effecttransistor;FET)的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)。在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中,控制電流通過的閘門,只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開,屬于平面的架構(gòu)。
HBM4競爭格局生變
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國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備加速崛起
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