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臺積電3納米FinFET 三星2納米恐難敵

市場近期盛傳三星將押注資源發展2納米，預計最快明年于美國德州廠率先導入2納米制程，企圖彎道超車臺積電。半導體業界透露，三星目前以GAAFET打造之3納米，約為目前競爭對手4納米FinFET水平，分析2納米效能恐怕不如臺...

臺積電 3納米 2025-06-25

Finwave籌集820萬美元短期投資以推動市場發展

美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Pa...

Finwave 短期投資 2025-05-15

“最后也是最好的FINFET節點”

在該公司的北美技術研討會上，臺積電業務發展和海外運營辦公室高級副總裁兼聯合首席運營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節點”。臺積電的策略是開發 N3 工藝的多種變體，創建一個全面的、可定制...

FINFET TSMC 2025-04-27

臺積電2nm馬上量產：工廠火力全開蘋果首發

3月31日消息，據媒體報道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產基地，預計今年下半年正式進入全面量產階段。在前期試產中，臺積電已經做到了高達60%的良率表現，待兩大工廠同步投產之后，月產能將攀升至5...

臺積電 2nm 2025-04-01

英特爾最新的FinFET是其代工計劃的關鍵

在上周的VLSI研討會上，英特爾詳細介紹了制造工藝，該工藝將成為其高性能數據中心客戶代工服務的基礎。在相同的功耗下，英特爾 3 工藝比之前的工藝英特爾 4 性能提升了 18%。在該公司的路線圖上，英特爾 3 是最后一款使...

英特爾 FinFET 2024-06-26

Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術的硅片成功流片

這款測試芯片是業界首款采用12納米FinFet（FF）技術為音頻IP提供完整解決方案的產品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質與功能。這款專用測試芯片通過加快產品上市進程、提供同...

Dolphin Design 12納米 2024-02-22

晶體管進入納米片時代

3D 芯片堆疊對于補充晶體管的發展路線圖至關重要。...

FinFET 2024-02-05

新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程

摘要：●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設計解決方案。●? ?業界領先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統的性能和功耗效率。●? ?集成的設計流程提升了開發者的生產率，提高了仿真...

新思科技是德科技 2023-10-30

是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程

●? ?新參考流程采用臺積電 N4PRF 制程，提供了開放、高效的射頻設計解決方案●? ?強大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統的性能和功率效率●? ?綜合流程可提高設計效率，實現更準確的仿真，從而更快將產品推向市...

是德科技新思科技 2023-10-11

3D 晶體管的轉變

迷人的技術革命。...

晶體管 3D 晶體管 2023-07-17

IMEC發布1nm以下制程藍圖：FinFET將于3nm到達盡頭

近日，比利時微電子研究中心(IMEC)發表1納米以下制程藍圖，分享對應晶體管架構研究和開發計劃。外媒報導，IMEC制程藍圖顯示，FinFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術...

IMEC 1nm 2023-05-31

恩智浦攜手臺積電推出首創汽車級16納米FinFET嵌入式MRAM

● 恩智浦和臺積電聯合開發采用臺積電16納米FinFET技術的嵌入式MRAM IP● 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級，消除量產瓶頸● ...

恩智浦臺積電 2023-05-22

ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯合推進FD-SOI

意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導體位于法國Crolles的現有晶圓廠旁邊新建一座聯合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術和工藝節點，包...

FD-SOI GAAFET 2022-08-19

Intel 4制程技術細節曝光具備高效能運算先進FinFET

英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術細節。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達成兩...

Intel 4 制程技術 2022-07-05

5nm及更先進節點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能

雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現更高的晶體管性能變得更具挑戰。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (ime...

泛林 5nm 2022-05-05

為技術找到核心多元化半導體持續創新

觀察2021年主導半導體產業的新技術趨勢，可以從新的半導體技術來著眼。基本上半導體技術可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機和通訊技術，基礎技術是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產制程，其中有些是Fi...

CMOS FinFET ST 2021-08-10

中芯國際FinFET工藝已量產產能1.5萬片

中芯國際聯席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示FinFET工藝已經達產，每月1.5萬片，客戶不斷進來。在最近的財報電話會上，中芯國際聯席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經達...

中芯國際 FinFET 2021-08-08

揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結構

GAA FET將取代FinFET，但過渡的過程將是困難且昂貴的。...

3nm FinFET GAA FET 2021-05-26

新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開發DesignWare IP產品組合

要點：用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR...

新思科技 12LP+FinFET 2020-10-22

格羅方德12LP+ FinFET解決方案針對AI進行優化

半導體代工廠格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布，旗下最先進的FinFET解決方案「12LP+」已通過技術驗證，目前準備投入生產。格羅方德的差異化「12LP+」解決方案主要針對AI訓練以及推論應用進行優化。本...

格羅方德 12LP+ 2020-07-05

微縮實力驚人臺積3納米續沿用FinFET晶體管制程

由于世界前兩大的半導體廠都相繼宣布投入GAA的懷抱，因此更讓人篤定，也許3納米將會是GAA的時代了，因為至3納米制程，FinFET晶體管就可能面臨瓶頸，必須被迫進入下個世代。 ...

微縮臺積電 2020-06-04

燧原科技推出搭載基于格芯12LP平臺的“邃思”芯片的人工智能訓練解決方案云燧T10

在燧原科技（燧原）發布云燧T10之際，燧原與格芯（GLOBALFOUNDRIES）近日共同宣布推出針對數據中心培訓的高性能深度學習加速卡解決方案，其核心“邃思”（DTU）基于格芯12LP?FinFET平臺及2.5D 封裝...

FinFET 2.5D 2019-12-13

新思科技和臺積合作在其5納米 FinFET 強化版N5P制程技術上開發DesignWare IP核產品組合

臺積公司5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術上開發的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDM...

新思臺積合 2019-11-12

格芯針對人工智慧應用推出12LP+ FinFET解決方案

晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設計廠SiFive正在合作研發將高頻寬存儲器（HBM2E）運用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決...

格芯人工智慧應用 2019-11-07

Mentor 擴展解決方案以支持 TSMC 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝技術

　　Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 的 7nm...

Mentor FinFET 2018-11-15

格芯擴展FinFET產品新特性為全面實現未來智能系統

　　格芯是全球領先的全方位服務半導體代工廠，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨一無二的設計、開發和制造服務。2018年9月25日，格芯在其年度全球技術大會(GTC)上，繼在300mm平臺上面向下一代移動應用推出8SW ...

格芯 FinFET 2018-09-28

GF宣布將在既有14/12納米FinFET制程節點基礎上，向外擴展應用領域

　　自從28納米制程節點向下轉進以來，就剩下四大晶圓代工廠商持續鞏固先進制程：臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特爾(Intel)。但在這四大廠商轉進1...

GF FinFET 2018-09-05

格芯終止7nm FinFET工藝研發，接下來要發大招？

和其他晶圓廠一樣，格芯正在迎來各種各樣的挑戰。...

格芯 7nm 2018-08-29

FinFET對動態功耗的影響

現在主要的代工廠都在生產FinFET晶體管，這些FinFET以創紀錄的速度實現了從設計到現貨產品的轉變。FinFET的發展普及一直都比較穩定，因為與平面器件相...

FinFET 動態功耗 2018-08-23

中芯國際14納米FinFET制程開始客戶導入，Q2營收同比增長18.6%

　　9日中芯國際集成電路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的綜合經營業績。中芯國際第二季度銷售額為8.907億美元，與上一季度環比增長7.2%，與去年同比增長18.6%。欣喜的是，14納米FinFET制程...

中芯國際 14納米 2018-08-10

利用FinFET優勢的六種方式

為了能夠充分發揮好工藝制程的功耗，性能和面積(PPA)上的優勢，必須要求我們的設計人員將有相關工藝知識的設計戰略和優化的IP相結合，其中包括了標準...

FinFET synopsys 2018-08-02

FinFET布局和布線要經受的重大考驗

隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設計挑戰。多重圖案拆分...

FinFET 布線 2018-07-30

三星侵犯大學專利，賠償金或高達4億美元

　　近日，德克薩斯州聯邦陪審團作出一項裁決：三星電子因侵犯韓國技術學院一項專利技術，需向后者支付賠償金或將高達4億美元。　　據了解，韓國技術學院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(FinFET)制程工藝...

三星 FinFET 2018-06-20

掌控芯片制造的“火候”，看懂小處用心的美好

小小的芯片，看似簡單，卻充滿了科技之道。只有真的懂得制造工藝與應用原理，了解每一顆芯片生產背后的艱辛，才能看懂制造商從小處用心的美好。...

芯片 FinFET 2018-06-06

胡正明：技術創新可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍

　　“半導體市場正在經歷由技術推動到需求推動的轉變。而半導體技術上的創新，可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間。”近日，美國加州大學伯克利分校教授、國際微電子學家胡正明在接受集微網采訪時表示。　　自196...

FinFET 7納米 2018-05-21

7nm或將引爆2018年手機市場，國產手機岌岌可危

在2018年，如果蘋果新一代產品應用7nm制程工藝的消息被確認，那么對于其競爭對手，或將成為一場腥風血雨;而對于整個產業來說，或將成為轉折點;對于我們消費者來說，當然是件好事情。...

7nm FinFET 2018-01-10

格芯技術大會攜最新技術突出中國市場重要地位

近日，格芯2017技術大會（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數百位半導體行業領導者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會者準備了公司的核心...

GTC FDSOI 2017-11-09

詳解先進的半導體工藝之FinFET

詳解先進的半導體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）晶體管。...

FinFET 半導體工藝 2017-10-13

三星推11納米FinFET，宣布7nm將全面導入EUV

　　隨著臺積電宣布全世界第一個 3 奈米制程的建廠計劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個位數制程技術的競爭就正式進入白熱化的階段。臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導入 11 奈米的 FinFET，預計在 201...

三星 FinFET 2017-10-07

FD SOI生態持續完善，與FinFET分庭抗禮局勢形成

　　FD SOI技術在物聯網蓬勃發展的大環境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優勢獲得業界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業的推動下，該產業鏈正逐步得到完善。此外，在中國...

FinFET 物聯網 2017-09-28