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存儲技術(shù)資訊

三星大力推崇96%的NAND設(shè)計(jì)采用低功耗——研究人員研究基于鐵電晶體管的設(shè)計(jì)

研究人員展示了基于FeFET的三維NAND電池，其通電電壓接近零，每個(gè)單元最多可達(dá)五位。三星研究人員發(fā)布了一份詳細(xì)的NAND實(shí)驗(yàn)性架構(gòu)報(bào)告，旨在將該技術(shù)最大的功耗之一減少多達(dá)96%。這項(xiàng)工作——用于低功耗NAND閃存的鐵...

NAND 三星 2025-12-03

AI驅(qū)動內(nèi)存革新臺積電與三星引領(lǐng)存儲技術(shù)搶攻萬億商機(jī)

全球新興記憶體與儲存技術(shù)市場正快速擴(kuò)張，而臺積電、三星、美光、英特爾等半導(dǎo)體巨頭正與專業(yè)IP供應(yīng)商合作，積極推動先進(jìn)非揮發(fā)性存儲器解決方案的商業(yè)化。過去兩年，相變內(nèi)存（PCM）、電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（RRAM）和自旋...

AI 內(nèi)存 2025-06-30

HBM4標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

據(jù)報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月16日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布，正式推出HBM4內(nèi)存規(guī)范JESD270-4，該規(guī)范為HBM的最新版本設(shè)定了更高的帶寬性能標(biāo)準(zhǔn)。據(jù)介紹，與此前的版本相比，HBM4標(biāo)準(zhǔn)在帶寬、通道數(shù)、功耗、容量等多方...

HBM4 存儲技術(shù) 2025-04-18

鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計(jì)算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以...

鎧俠存儲技術(shù) 2024-10-24

我國高校團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)存儲技術(shù)突破！

近日，復(fù)旦大學(xué)和清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)在存儲芯片上創(chuàng)下新突破。復(fù)旦團(tuán)隊(duì)研發(fā)超快閃存集成工藝，可實(shí)現(xiàn)20納秒超快編程、10年非易失；清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)則提出一種基于磁振子的新型邏輯器件，有望重構(gòu)邏輯存儲器。復(fù)旦團(tuán)隊(duì)研發(fā)超快閃存集成工藝，突...

存儲技術(shù) 2024-08-15

業(yè)界預(yù)測：LPDDR6的帶寬將增加一倍以上？

當(dāng)前低功耗問題仍是業(yè)界關(guān)心重點(diǎn)。根據(jù)國際能源署(IEA)最近報(bào)告顯示，考慮到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次請求消耗2.9Wh，每天進(jìn)行90億次搜索，每年需要額外消耗10太瓦時(shí)(TWh)的...

內(nèi)存存儲技術(shù) 2024-05-28