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開(kāi)關(guān)速度

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使用 p-GaN 屏蔽提高開(kāi)關(guān)速度

電力電子產(chǎn)品的銷售額預(yù)計(jì)將在這十年及以后飆升。推動(dòng)這一趨勢(shì)的是電動(dòng)汽車產(chǎn)量的增加和數(shù)據(jù)中心的增長(zhǎng)，由于人工智能的采用，數(shù)據(jù)中心的電力需求更加苛刻。對(duì)于使用電力電子的每種應(yīng)用，提高其效率都是有益的。收益可能包括增加行駛里程...

p-GaN 屏蔽 2025-11-10

柵極電荷為什么對(duì)開(kāi)關(guān)速度很重要？

柵極電荷（Qg）表示打開(kāi)功率半導(dǎo)體器件（例如 MOSFET 和 IGBT）所需的總電荷。開(kāi)關(guān)速度直接受這一重要參數(shù)的影響。柵極電荷越低，設(shè)備從開(kāi)到關(guān)的速度就越快。本文研究了柵極電荷的物理起源，分解了其關(guān)鍵組件，并展示...

柵極電荷開(kāi)關(guān)速度 2025-10-11

IGBT可靠性分析輸出電壓沿速率與開(kāi)關(guān)速率的關(guān)系

現(xiàn)如今科技飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)化已經(jīng)無(wú)法滿足電力設(shè)備的需要。新型變頻設(shè)備崛起的同時(shí)，大功率IGBT的應(yīng)用也逐漸增多起來(lái)，IGBT的可靠性直接關(guān)系到...

IGBT IGBT可靠性 2018-08-14

快速設(shè)置的GaAs pHEMT微波開(kāi)關(guān)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園...

設(shè)置時(shí)間不GaAspHEMT 2011-01-20

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開(kāi)關(guān)速度

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晶體管開(kāi)關(guān)速度有兩種方法可以考慮一下

MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能

MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能

ADI家庭總線數(shù)據(jù)線供電解決方案

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場(chǎng)

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——智能工廠專場(chǎng)

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