EEPW
技術(shù)應(yīng)用
目錄 1 影響 2 對高效IGBT逆變器設(shè)計(jì)的影響 影響 IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此,英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與逆變器設(shè)計(jì)應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開關(guān)速度和軟度要求是推動這些不同型號器件優(yōu)化的主要動力。這些型號包括具備快速開關(guān)特性的T4芯片、具備軟開關(guān)特性的P4芯片和開關(guān)速度介于T4和P4之間的E4芯片。查看更多>>
HBM4競爭格局生變
長江存儲進(jìn)入加速期,三期項(xiàng)目計(jì)劃今年建成投產(chǎn)
國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備加速崛起
上調(diào)100%!存儲市場又一重磅調(diào)價信號
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