久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

雜散電感

　　目錄 　　1 影響 　　2 對高效IGBT逆變器設計的影響 　　影響 　　IGBT技術不能落后于應用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應用的需求。與逆變器設計應用功率或各自額定電流水平相關的開關速度和軟度要求是推動這些不同型號器件優化的主要動力。這些型號包括具備快速開關特性的T4芯片、具備軟開關特性的P4芯片和開關速度介于T4和P4之間的E4芯片。

  • 雜散電感資訊

雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響探究

雜散電感 SiC 2024-04-18

如何測量功率回路中的雜散電感

英飛凌 雜散電感 2024-03-19

最經典的IGBT資料大全，技術詳解，設計技巧，應用案例

IGBT 基礎理論 2014-06-04

如何控制IGBT逆變器設計中的雜散電感

IGBT 逆變器設計 2013-04-26
相關標簽