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極紫外光刻技術社區

極紫外光刻

　　目錄　　1 定義　　2 概述　　3 背景　　4 展望　　定義　　極紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），常稱作EUV光刻，它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13。4nm 的軟x 射線。　　概述　　EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13。查看更多>>

全部資訊

極紫外光刻資訊

極紫外光刻新技術問世，超越半導體制造業的標準界限

據科技日報報道稱，日本沖繩科學技術大學院大學（OIST）官網最新報告，該校設計了一種極紫外（EUV）光刻技術，超越了半導體制造業的標準界限?；诖嗽O計的光刻設備可采用更小的EUV光源，其功耗還不到傳統EUV光刻機的十分之...

極紫外光刻半導體制造 2024-08-05

EUV光刻機訂單少了？ASML下調Q1季度營收預期暫停股票回購

由于COVID-19新冠病毒在全球的蔓延,多個行業的生產、消費都受到影響了,半導體行業也不例外。ASML公司今天宣布下調Q1季度營收預期,同時暫停股票回購,不過他們沒公布EUV光刻機出貨量是否受影響了。今年1月份ASML...

阿斯麥光刻機 2020-04-01

ASML研發下一代EUV光刻機：分辨率提升70% 逼近1nm極限

在EUV光刻機方面,荷蘭ASML(阿斯麥)公司壟斷了目前的EUV光刻機,去年出貨26臺,創造了新紀錄。據報道,ASML公司正在研發新一代EUV光刻機,預計在2022年開始出貨。根據ASML之前的報告,去年他們出貨了26臺...

光刻機極紫外光刻 2020-03-18

ASML研發下一代EUV光刻機：分辨率提升70% 逼近1nm極限

在EUV光刻機方面,荷蘭ASML(阿斯麥)公司壟斷了目前的EUV光刻機,去年出貨26臺,創造了新紀錄。據報道,ASML公司正在研發新一代EUV光刻機,預計在2022年開始出貨。根據ASML之前的報告,去年他們出貨了26臺...

光刻機極紫外光刻 2020-03-17

中芯國際稱7nm EUV光刻機問題已解決技術研發步入正軌

在半導體工藝進入10nm節點之后，制造越來越困難，其中最復雜的一步——光刻需要用到EUV光刻機了，而后者目前只有荷蘭ASML阿斯麥公司才能供應。中芯國際去年也訂購了一臺EUV光刻機，日前該公司表示與ASML之間已解決光刻...

光刻機極紫外光刻 2019-12-10

ASML發布Q2季度財報 EUV光刻機產能大增

掌握全球唯一EUV光刻機研發、生產的荷蘭ASML（阿斯麥）公司今天發布了2019年Q2季度財報，當季營收25.68億歐元，其中凈設備銷售額18.51億歐元，總計出貨了41臺光刻機，其中EUV光刻機7臺。...

阿斯麥極紫外光刻 2019-07-19

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