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極紫外光刻

  目錄   1 定義   2 概述   3 背景   4 展望   定義   極紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography),常稱作EUV光刻,它以波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。具體為采用波長(zhǎng)為13。4nm 的軟x 射線。   概述   EUV光刻采用波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長(zhǎng)一下子降到13。

  • 極紫外光刻資訊

極紫外光刻新技術(shù)問(wèn)世,超越半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限

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