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　　全球市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業處DRAMeXchange表示，雖然三星與SK海力士的新工廠仍將于2015年陸續完工，但明年度的投片計劃正仍在進行調整，如三星Line17工廠原本預定第二季大量投片...

DRAM 25nm 2014-09-09

　　爾必達曾宣布采用25nm工藝制造的2Gbit內存顆粒正式開始出貨。今日該公司正式發表公告稱，采用25nm新工藝制造的4Gbit DDR3 SDRAM顆粒研發完成，芯片面積在同類產品(4Gbit DRAM顆粒)中屬世界...

爾必達 DDR3 2011-09-23

　　日本爾必達公司宣布開發出25nm制程2Gb密度DDR3內存芯片產品，這款產品可支持DDR3-1866規格，并兼容1.35V工作電壓條件下的DDR3L-1600工作模式。預計芯片樣品將于今年7月份開始向外出售，芯片的量...

爾必達 25nm 2011-05-02

　　Intel與美光合資公司出品的25nm工藝NAND閃存在今年5月就已經實現了量產。原本我們認為，Intel計劃中在今年四季度推出采用該閃存的第三代固態硬盤產品已經足夠穩健了。但根據歐洲媒體近日得到的消息，Intel近...

Intel 固態硬盤 2010-09-19

　　Intel與鎂光公司已經成功生產出基于25nm制程技術的3位元型NAND閃存芯片產品，目前他們已經將有關的產品樣品送往部分客戶手中進行評估，預計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產。這款25nm NAND閃存芯...

Intel 25nm 2010-08-23

　　英特爾今天宣布和鎂光一起發布25nm TLC閃存的第一款樣品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1個內存儲存單元可存放3位元。TLC速度慢，壽命短，但成本低，價格也較...

英特爾 25nm 2010-08-18

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