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BCD-160資訊

聯電推出55納米BCD平臺，實現節能設計

聯合微電子公司（UMC）推出了一種新的 55 納米 BCD 平臺，也稱為 55 納米 BCD 技術，旨在為下一代移動、消費、汽車和工業設備提供更高的性能和能效。該代工廠的最新工藝節點可幫助設計人員管理日益復...

聯電 55納米 2025-10-27

X-FAB推出基于其110nm車規BCD-on-SOI技術的嵌入式數據存儲解決方案

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領域的重大創新。該創新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術：基于其高壓BCD-on-SOI...

X-FAB BCD-on-SOI 2024-12-05

安森美推出業界領先的模擬和混合信號平臺

新聞概要●? ?Treo平臺基于65納米節點的BCD工藝技術，支持同行業領先的1- 90V寬電壓范圍和高達 175°C 的工作溫度●? ?Treo平臺將幫助客戶簡化設計流程，降低系統成本，并加快在汽車、醫療、工業、AI數...

安森美模擬和混合信號 2024-11-12

X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，...

X-FAB 110納米 2023-06-02

基于線性提升和高速低噪聲比較器技術的10 bit 160 MSPS SAR ADC設計

基于采樣管p阱浮空技術用于寄生電容電荷補償，實現采樣開關高線性度。使串聯的兩個寄生電容的容值變化方向相反，從而實現了容值的相互補償，使輸入管的寄生電容容值不隨輸入信號幅度變化，相較傳統技術，采樣開關的線性度得到進一步提高...

10 bit 160 MSPS 采樣管p阱浮空技術 2021-12-29

ST BCD制程技術獲頒IEEE里程碑獎長跑35年第十代即將量產

意法半導體（ST）宣布，電機電子工程師學會（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導體IEEE里程碑獎，表彰ST在超級整合硅閘半導體制...

ST BCD 2021-05-24

BCD-160專欄

BCD工藝緣何入選IEEE里程碑獎

2021年5月18日，IEEE給BCD工藝開創者意法半導體（STM）頒發IEEE里程碑獎（IEEE Milestone），旨在表彰意法半導體在超級集成硅柵半導體工藝技術方面的開創性研究成果。該牌匾將放置在意法半導體在意大...

BCD IEEE 2021-05-25

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BCD-160資料

BCD-160論壇

03-07 帶鎖存、8段BCD譯碼器芯片，有推薦的型號嗎？

黑星|瀏覽：1992|回復：4| 白嶺 2020-03-07 21:41:17

更多 技術趨勢

HBM4競爭格局生變

長江存儲進入加速期，三期項目計劃今年建成投產

國產半導體設備加速崛起

上調100%！存儲市場又一重磅調價信號

插混車型成為“突破口”：中國車企在歐洲市場的銷量再創新高

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雙胞胎健康監測系統參考源碼

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稱重輸出演示2

時間：: +立即下載2026-02-13

稱重輸出演示1

時間：: +立即下載2026-02-13

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