BCD-218W技術(shù)社區(qū)

BCD-218W

BCD-218W技術(shù)社區(qū)為您提供最新的BCD-218W相關(guān)技術(shù)資訊、BCD-218W的技術(shù)資料、BCD-218W的電路設(shè)計(jì)方案、BCD-218W的視頻資料、BCD-218W的相關(guān)元器件資料以及BCD-218W的技術(shù)應(yīng)用。

全部資訊專欄資料電路論壇

BCD-218W資訊

聯(lián)電推出55納米BCD平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)節(jié)能設(shè)計(jì)

聯(lián)合微電子公司（UMC）推出了一種新的 55 納米 BCD 平臺(tái)，也稱為 55 納米 BCD 技術(shù)，旨在為下一代移動(dòng)、消費(fèi)、汽車和工業(yè)設(shè)備提供更高的性能和能效。該代工廠的最新工藝節(jié)點(diǎn)可幫助設(shè)計(jì)人員管理日益復(fù)...

聯(lián)電 55納米 2025-10-27

X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI...

X-FAB BCD-on-SOI 2024-12-05

安森美推出業(yè)界領(lǐng)先的模擬和混合信號(hào)平臺(tái)

新聞概要●? ?Treo平臺(tái)基于65納米節(jié)點(diǎn)的BCD工藝技術(shù)，支持同行業(yè)領(lǐng)先的1- 90V寬電壓范圍和高達(dá) 175°C 的工作溫度●? ?Treo平臺(tái)將幫助客戶簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程，降低系統(tǒng)成本，并加快在汽車、醫(yī)療、工業(yè)、AI數(shù)...

安森美模擬和混合信號(hào) 2024-11-12

X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

中國(guó)北京，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，...

X-FAB 110納米 2023-06-02

ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎(jiǎng) 長(zhǎng)跑35年第十代即將量產(chǎn)

意法半導(dǎo)體（ST）宣布，電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng)，表彰ST在超級(jí)整合硅閘半導(dǎo)體制...

ST BCD 2021-05-24

華虹半導(dǎo)體拓展電源管理技術(shù)平臺(tái) BCD工藝“8+12”齊發(fā)力

全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”或“公司”）近日宣布，其高性能90納米BCD工藝平臺(tái)在華虹無(wú)錫12英寸生產(chǎn)線順利實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積，將在數(shù)字電源...

BCD 電源管理 2020-04-29

BCD-218W專欄

BCD工藝緣何入選IEEE里程碑獎(jiǎng)

2021年5月18日，IEEE給BCD工藝開創(chuàng)者意法半導(dǎo)體（STM）頒發(fā)IEEE里程碑獎(jiǎng)（IEEE Milestone），旨在表彰意法半導(dǎo)體在超級(jí)集成硅柵半導(dǎo)體工藝技術(shù)方面的開創(chuàng)性研究成果。該牌匾將放置在意法半導(dǎo)體在意大...

BCD IEEE 2021-05-25

查看更多>> BCD-218W電路方案