EEPW
技術應用
雙重擴散金屬氧化半導體 DMOS Double-Diffused Metal-Oxide Semiconductor DMOS與CMOS器件結構類似,也有源、漏、柵等電極,但是漏端擊穿電壓高。DMOS主要有兩種類型,垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET(vertical double-diffused MOSFET)和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管LDMOSFET(lateral double-dif fused MOSFET)。 DMOS器件是由成百上千的單一結構的DMOS 單元所組成的。這些單元的數(shù)目是根據(jù)一個芯片所需要的驅動能力所決定的,DMOS的性能直接決定了芯片的驅動能力和芯片面積。查看更多>>
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