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MRAM

MARM(Magnetic Random Access Memory) 是一種非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。 。查看更多>>

  • MRAM 資訊

自旋芯片與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室發(fā)布全球首款單片容量4 Mb全功能SOT-MRAM芯片

SOT-MRAM 2026-02-10

2025年MRAM全球創(chuàng)新論壇將展示MRAM技術(shù)創(chuàng)新、進(jìn)展及行業(yè)專家的研究成果

瑞薩電子超高算力RA8系列新增兩款MCU產(chǎn)品,搭載1GHz雙核7300 CoreMark跑分及嵌入式MRAM技術(shù)

瑞薩 MCU 2025-10-22

特斯拉集團(tuán)與SRAM & MRAM攜手建設(shè)全球電動(dòng)汽車電池超級(jí)工廠

特斯拉 SRAM & MRAM 2025-09-26

新興存儲(chǔ),開始走嵌入式路線

MRAM ReRAM 2025-06-03

臺(tái)積電計(jì)劃建立首個(gè)歐洲設(shè)計(jì)中心瞄準(zhǔn)5納米車用MRAM

  • MRAM 專欄

行業(yè)首創(chuàng)!恩智浦?jǐn)y手臺(tái)積電,推出汽車級(jí)16納米FinFET嵌入式MRAM

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