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標(biāo)簽

PHEMT技術(shù)社區(qū)

PHEMT

假晶形高電子遷移率晶體管；贗高電子遷移率晶體管；假同晶高電子遷移率晶體管 PHEMTToppseudomorphic high-electron-mobility transistor 一種利用在砷化鎵上生長的特殊外延層制造的射頻砷化鎵 (GaAs)功率晶體管，可以使其在用于蜂窩電話和射頻調(diào)制解調(diào)器上時(shí)實(shí)現(xiàn)低電壓、高效率。。查看更多>>

全部資訊資料

PHEMT資訊

如何對耗盡型pHEMT射頻放大器進(jìn)行有效偏置？

假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pH...

pHEMT 放大器 2023-11-21

pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pH...

pHEMT 功率放大器 2023-11-13

pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pH...

ADI pHEMT 2023-10-30

基于ADS的C波段的低噪聲放大器仿真設(shè)計(jì)研究

低噪聲放大器是接收機(jī)中最重要的模塊之一，文中采用了低噪聲、較高關(guān)聯(lián)增益、PHEMT技術(shù)設(shè)計(jì)的ATF35176晶體管，設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于5．5～6．5 GHz頻段的低噪聲放大器。為了獲得較高的增益，該電路采用三級級聯(lián)放大結(jié)...

低噪聲放大器 ADS 2016-10-29

寬帶阻抗變換器的PHEMT分布式功率放大器

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園...

寬帶阻抗變換器 pHEMT 2013-10-15

利用GaAs PHEMT設(shè)計(jì)MMIC LNA

在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對于從噪聲中析出信號十分關(guān)鍵。控制系統(tǒng)內(nèi)噪聲還有其他技術(shù)，包括過濾和低 ......

GaAs PHEMT 2012-02-11

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PHEMT資料

【免費(fèi)】A miniature PHEMT switched...

miniature PHEMT 2013-09-22 立即下載

Ku波段PHEMT單片低噪聲放大器的設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)

波段 PHEMT 2013-09-22 立即下載

構(gòu)建一款E-pHEMT低噪聲放大器

構(gòu)建一款 2013-09-22 立即下載

另外一篇Switch using GaAs for hand...

pHEMT Switches 2013-09-16 立即下載

49.采用 GaAs E-pHEMT 技術(shù)的 1.6 - 2.2GHz 低噪聲高增益雙重放大器設(shè)計(jì)和性能介紹

Avago 放大器 2010-04-21 立即下載

20.使用增強(qiáng)模式 pHEMT 技術(shù)的高隔離度緩沖放大器

Avago pHEMT 2010-04-21 立即下載

18.使用光蝕刻低成本 pHEMT 工藝的 DC 到 85GHz TWA 和 Ka 頻帶 4.9W 功率放大器

Avago pHEMT 2010-04-21 立即下載

10.E-pHEMT 技術(shù)的發(fā)展

Avago E-pHEMT 2010-04-21 立即下載

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HBM4競爭格局生變

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