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假晶形高電子遷移率晶體管；贗高電子遷移率晶體管；假同晶高電子遷移率晶體管 PHEMTToppseudomorphic high-electron-mobility transistor 一種利用在砷化鎵上生長的特殊外延層制造的射頻砷化鎵 (GaAs)功率晶體管，可以使其在用于蜂窩電話和射頻調制解調器上時實現低電壓、高效率。 。

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如何對耗盡型pHEMT射頻放大器進行有效偏置？

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基于ADS的C波段的低噪聲放大器仿真設計研究

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寬帶阻抗變換器的PHEMT分布式功率放大器

利用GaAs PHEMT設計MMIC LNA

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用射頻開關優化智能手機信號

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Hittite推出SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器

放大器 Hittite 2008-07-24

Hittite Microwave推出22到46 GHz有源X2倍頻器

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