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SiC MOSFET單管技術(shù)社區(qū)

SiC MOSFET單管

SiC MOSFET單管技術(shù)社區(qū)為您提供最新的SiC MOSFET單管相關(guān)技術(shù)資訊、SiC MOSFET單管的技術(shù)資料、SiC MOSFET單管的電路設(shè)計方案、SiC MOSFET單管的視頻資料、SiC MOSFET單管的相關(guān)元器件資料以及SiC MOSFET單管的技術(shù)應(yīng)用。

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SiC MOSFET單管資訊

英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅(qū)動IC，加速SiC方案設(shè)計

英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統(tǒng)基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據(jù)官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED...

英飛凌 IC 2026-02-10

SiC為電動汽車的高壓逆變器功率模塊

汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產(chǎn)工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應(yīng)晶體管裸片，是雙方戰(zhàn)略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能...

SiC 電動汽車 2026-01-27

功率電路進階教程：SiC JFET 如何實現(xiàn)熱插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統(tǒng)取得重大進步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過...

安森美功率電路 2026-01-19

功率電路進階教程：固態(tài)斷路器采用SiC JFET的四個理由

本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統(tǒng)取得重大進步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過浪涌電...

安森美功率電路 2026-01-19

聚焦固態(tài)斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀

輸配電系統(tǒng)與各類靈敏用電設(shè)備的安全運行，離不開對長時間過載與瞬態(tài)短路故障的妥善防護。這些風險若未及時管控，輕則導致設(shè)備損壞，重則引發(fā)系統(tǒng)癱瘓。隨著電力系統(tǒng)電壓等級持續(xù)提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現(xiàn)的最大故障...

安森美固態(tài)斷路器 2026-01-19

Melexis硅基RC緩沖器獲利普思選用，攜手開啟汽車與工業(yè)能源管理技術(shù)新征程

全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創(chuàng)新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進的功率半導體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標志著雙方在技術(shù)創(chuàng)新與系統(tǒng)優(yōu)化上的深度融...

Melexis 邁來芯 2026-01-13

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SiC MOSFET單管專欄

是德示波器如何精準測量第三代半導體SiC的動態(tài)特性

第三代半導體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而，SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動態(tài)測試的挑戰(zhàn)：開關(guān)速度可達納秒級，電壓電流變化率（...

是德示波器精準測量 2025-04-21

自有SiC Mos已批量應(yīng)用于主驅(qū)，產(chǎn)能達9000片/月

8月19日晚，功率半導體IDM龍頭士蘭微(600460)發(fā)布半年度業(yè)績報告，2024年上半年營業(yè)收入約52.74億元，同比增加17.83%，創(chuàng)出歷史同期新高。公司營業(yè)利潤為 14,743 萬元，比 2023 年同期增加虧...

SiC Mos 2024-08-21

盤點國內(nèi)SiC碳化硅襯底公司

SiC碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)...

SiC 2023-10-28

英飛凌確認：兩家中國SiC供應(yīng)商獲車規(guī)認證并大規(guī)模出貨

導讀：9月4日，英飛凌德國總部向DIGITIMES證實，已經(jīng)提前完成來自中國兩家碳化硅（SiC）材料供應(yīng)商天岳先進（SICC）、天科合達（TankeBlue）的車規(guī)認證，而且已向全球客戶出貨。圖：英飛凌5月，芯片大師曾報...

SiC 2023-09-08

【資訊】全球SiC晶圓競爭，進入白熱化

來源：半導體行業(yè)觀察隨著英飛凌和 Wolfspeed 爭奪全球最大碳化硅晶圓廠的稱號，全球芯片制造商正在快速采取行動，確保碳化硅功率器件的供應(yīng)。Onsemi 和 Rohm 也希望通過巨額預付款來提高 SiC 器件的產(chǎn)量，...

SiC 2023-08-09

ROHM 1200V IGBT成功導入SEMIKRON-Danfoss功率模塊

ROHM Co., Ltd. 常務(wù)執(zhí)行董事CFO伊野和英（左）與SEMIKRON-Danfoss CEO Claus A. Petersen（右）。ROHM SEMIKRON-Danfoss...

ROHM SEMIKRON 2023-05-09

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查看更多>> SiC MOSFET單管電路方案

1200V 450A全SiC半橋功率模塊問世

電源設(shè)計說明：線性方案中的 SiC MOSFET

電源設(shè)計說明：面向高性能應(yīng)用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

動態(tài)測試證實了 SiC 開關(guān)頻率的準確性

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驅(qū)動器的重要性

用于 SiC 解決方案設(shè)計的模塊化評估平臺

SIC24P用于控制交流彩燈

SIC24P用于驅(qū)動直流LED應(yīng)

SiC MOSFET單管資料

羅姆推出高功率密度的新型SiC模塊，將實現(xiàn)車載充電器小型化！

rohm sic 2025-08-19 立即下載

SiC JFET Cascode應(yīng)用指南

SiC JFET Cascode 應(yīng)用指南 2025-06-28 立即下載

探索安森美（onsemi）并聯(lián)SiC Cascode JFET技術(shù)及其在高效功率轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

onsemi sic 2025-05-30 立即下載

Qorvo SIC JFET

Qorvo 晶體管 2024-06-07 立即下載

使用 InnoSwitch3-AQ（1700 V SiC 開關(guān)）替換 400 V BEV 系統(tǒng)中的 12 V 電池.pdf

InnoSwitch3-AQ SiC 2024-04-26 立即下載

EEPW2023年6月刊

fpga sic 2023-07-24 立即下載

介紹幾款用于車載充電器應(yīng)用的 1200 V SiC MOSFET 模塊

onsemi 安森美 2023-07-04 立即下載

M1 1200 V SiC MOSFET特性及驅(qū)動建議

onsemi 安森美 2022-09-02 立即下載

光伏逆變器、不間斷電源和儲能等應(yīng)用可選用這款SiC MOSFET

onsemi 安森美 2022-08-03 立即下載

用戶手冊：安森美的1200 V SiC MOSFET評估板用于能源基礎(chǔ)設(shè)施提供高能效、高功率密度和出色的散熱

onsemi 安森美 2022-07-05 立即下載

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SiC MOSFET單管論壇

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07-07 碳化硅高速電機控制器設(shè)計及效能分析

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07-21 一文弄懂SiMOSFET和SiCMOSFET的導通電阻差異特性

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