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由于能源成本上升和人們積極應對全球變暖，電力電子設備的能源效率已經變得越來越重要。為了提升電力電子設備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導體器件技術是關鍵所在。在半導體器件中，功率損耗的降低可以改善...

VCESAT 1200V 2012-06-13

新型低VCEsat BJT技術為傳統的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設計人員設計出成本更低、更具競爭優勢的產品。　　便攜式產品(如手...

比較 MOSFET 2011-09-20

　　近年來，中功率雙極晶體管在飽和電阻及功率選擇范圍方面的重大改進，極大地拓寬了此類器件的應用領域。恩智浦最新推出的SMD封裝型中功率晶體管BISS 4充分展示了雙極晶體管的技術優勢，它在為開關應用帶來大功率低損耗解決方...

雙極晶體管晶體管架構 2010-10-23

　　恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產品。該產品家族分成兩種優化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開關晶體管。其電壓范圍為20 V -...

NXP 晶體管 2010-03-05

　　恩智浦半導體（由飛利浦創建的獨立半導體公司）發布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（小信號擊穿）晶體管具有超低飽和電壓（1安培時低于60毫瓦）、高電路效率和更...

VCEsat 單片機 2007-04-02

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