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具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對(duì)全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善...

VCESAT 1200V 2012-06-13

低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品。　　便攜式產(chǎn)品(如手...

比較 MOSFET 2011-09-20

下一代低VCEsat雙極晶體管

　　近年來，中功率雙極晶體管在飽和電阻及功率選擇范圍方面的重大改進(jìn)，極大地拓寬了此類器件的應(yīng)用領(lǐng)域。恩智浦最新推出的SMD封裝型中功率晶體管BISS 4充分展示了雙極晶體管的技術(shù)優(yōu)勢，它在為開關(guān)應(yīng)用帶來大功率低損耗解決方...

雙極晶體管晶體管架構(gòu) 2010-10-23

恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管

　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V -...

NXP 晶體管 2010-03-05

恩智浦推出最新一代低VCEsat晶體管

　　恩智浦半導(dǎo)體（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（小信號(hào)擊穿）晶體管具有超低飽和電壓（1安培時(shí)低于60毫瓦）、高電路效率和更...

VCEsat 單片機(jī) 2007-04-02

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VCEsat

具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

下一代低VCEsat雙極晶體管

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ADI家庭總線數(shù)據(jù)線供電解決方案

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