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MOS

MOS 金屬氧化物半導(dǎo)體 MOS metal-oxide semiconductor 以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對(duì)于硅襯底來說，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電容器、電阻器和其他半導(dǎo)體設(shè)備都是用這種結(jié)構(gòu)制造。MOS工藝包括CMOS，DMDS，NMOS，PMOS。查看更多>>

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PMOS緩啟電路

本文來源于一個(gè)實(shí)際項(xiàng)目，需要由一個(gè)PMOS作為開關(guān)來控制電源的導(dǎo)通。但對(duì)實(shí)際參數(shù)進(jìn)行測(cè)量時(shí)，發(fā)現(xiàn)PMOS導(dǎo)通時(shí)間太短，使得后級(jí)電路的dV/dt太大，造成一些不好的影響，因此本文對(duì)如何延緩PMOS啟動(dòng)速度進(jìn)行簡(jiǎn)單學(xué)習(xí)與概述...

PMOS電路開關(guān)電路 2024-12-27

內(nèi)置MOS全集成三相直流無刷電機(jī)BLDC驅(qū)動(dòng)芯片方案

引言全球高速無刷電機(jī)行業(yè)正在經(jīng)歷持續(xù)的增長(zhǎng)和發(fā)展。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研，亞洲市場(chǎng)占據(jù)了全球高速無刷電機(jī)行業(yè)的首位，市場(chǎng)規(guī)模占比達(dá)47%，并且預(yù)計(jì)未來增長(zhǎng)將主要集中在亞洲地區(qū)。特別是在我國(guó)，無刷電機(jī)技術(shù)已逐漸成熟，電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器的價(jià)...

MOS 三相直流無刷電機(jī) 2024-08-13

一文了解SiC MOS的應(yīng)用

作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOS...

SiC MOS 2024-06-19

從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用，這篇文章把MOS管講透了。

MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。其結(jié)構(gòu)示意圖：解釋1：溝道上面圖中，下邊的p型中間一個(gè)窄長(zhǎng)條就是溝道，使得左右兩塊P型...

模擬電路 MOS 2024-04-29

徹底弄清MOS管（NMOS為例

來自專欄芯片基礎(chǔ)課說來慚愧，大二學(xué)了一遍模電數(shù)電，考研專業(yè)課又學(xué)了一遍模電數(shù)電，但拿到如下這張mos管結(jié)構(gòu)圖，讓我立馬說出：【這是什么型mos管，標(biāo)準(zhǔn)符號(hào)襯底的箭頭指向哪里，簡(jiǎn)化符號(hào)柵極有沒有小圓圈，襯底該接高接低，柵極...

模擬電路 MOS 2024-01-30

MOS 管的死區(qū)損耗計(jì)算

MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對(duì)出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET　為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同...

MOS 管逆變電路 2024-01-11

mos專欄

為什么經(jīng)常要求MOS管快速關(guān)斷，而不要求MOS管快速開通？

上期文章“MOS管損耗理論計(jì)算公式推導(dǎo)及LTspice仿真驗(yàn)證”我們理論計(jì)算了MOS管的開關(guān)損耗。這期來說明一個(gè)問題：為什么我們很多時(shí)候要求MOS管快速關(guān)斷，而沒有要求MOS管快速開通？下面是常見的MOS管的驅(qū)動(dòng)電路MO...

MOS 2026-01-29

關(guān)于0.42mΩ超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場(chǎng)應(yīng)用與挑戰(zhàn)

在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，MOSFET作為開關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導(dǎo)通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)選。然而，在實(shí)際市...

MOS 2025-12-16

BMS設(shè)計(jì)中如何選擇MOSFET——關(guān)鍵考慮因素與最佳實(shí)踐

在電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，辰達(dá)半導(dǎo)體 MOSFET作為開關(guān)元件，負(fù)責(zé)電池充放電、均衡、過流保護(hù)和溫度控制等功能的實(shí)現(xiàn)。MOSFET的性能直接影響系統(tǒng)的效率、可靠性和安全性。因此，在選擇MOSFET時(shí)需要綜合考慮多個(gè)...

MOS 2025-12-15

BMS主動(dòng)均衡與被動(dòng)均衡的工程設(shè)計(jì)差異及核心元器件解析

在電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，均衡策略始終是工程團(tuán)隊(duì)必須優(yōu)先處理的問題之一。無論是電動(dòng)兩輪車、儲(chǔ)能系統(tǒng)還是消費(fèi)類鋰電產(chǎn)品，電芯一致性差都會(huì)導(dǎo)致容量無法完全釋放、整包壽命降低甚至觸發(fā)過充風(fēng)險(xiǎn)。工程上最常見的兩類方案是主動(dòng)...

MOS 2025-11-17

MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比：中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景，能夠有效提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)的效率與穩(wěn)定性。本...

MOS 2025-07-07

并聯(lián)MOSFET設(shè)計(jì)指南：均流、寄生參數(shù)與熱平衡

在現(xiàn)代高效電源設(shè)計(jì)中，MOSFET并聯(lián)技術(shù)廣泛應(yīng)用于要求大電流承載能力的電路中，如電動(dòng)汽車、電源供應(yīng)、功率放大器等。通過并聯(lián)多個(gè)MOSFET，可以大幅提高電路的電流處理能力、降低導(dǎo)通損耗，并增強(qiáng)系統(tǒng)的整體可靠性。然而，M...

MOS 2025-07-04

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