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人工智能與機器人技術推動氮化鎵功率器件市場爆發

氮化鎵（GaN）功率器件正加速拓展至人工智能數據中心、機器人、電動汽車、可再生能源等多個行業，同時還切入數字醫療、量子計算等新興領域，這一趨勢推動氮化鎵市場從今年到 2030 年實現顯著增長。尤其在數據中心市場，采用新型...

人工智能機器人 2026-02-11

小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應用更多可能

在傳統橫向結構的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結構使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而...

安森美 GaN 2026-01-19

NOR Flash、MEMS與傳感器、功率器件三大領域洞察

進入2026年，NOR Flash的基本面與DRAM和NAND形成顯著差異：其定價保持穩定，基本不受存儲周期性波動影響。同時，市場需求正日益轉向適用于汽車、工業及真無線耳機（TWS）等領域的更高密度SPI NOR產品。更...

NOR Flash MEMS 2026-01-16

過電應力導致的器件失效

在現代電子設備中，元器件的可靠性是系統穩定運行的基石。然而，在實際應用中，我們常常會遇到各種各樣的器件失效問題。其中，過電應力（Electrical Over Stress, EOS）導致的失效占比超過80%以上，而器件...

EOS 元器件 2025-09-05

iDEAL半導體與Mouser電子簽署全球分銷協議

?iDEAL半導體，一家專注于提供突破性效率的無晶圓廠功率半導體公司，宣布與Mouser電子簽署全球分銷協議。該協議涉及iDEAL基于其新穎、專利、最先進的SuperQ技術的功率器件。SuperQ與傳統超級結架構相比，在...

iDEAL Mouser 2025-07-31

英飛凌OptiMOS? 80V、100V以及MOTIX?功率器件為Reflex Drive無人機提供高性能電機控制解決方案

來自印度的深科技初創公司Reflex Drive選擇英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的半導體功率器件，用于其下一代無人機（UAV）電機控制解決方案。通過集成英飛凌OptiMOS? ...

英飛凌功率器件 2025-06-25

柵極驅動器 — 功率器件性能的關鍵環節：第 3 部分

其他柵極驅動器轉換器考慮因素柵極驅動器 DC-DC 轉換器還有其他獨特的問題。其中包括：1）調節：當器件不切換時，DC-DC 轉換器上的負載接近于零。然而，大多數傳統轉換器始終要求最小負載;否則，它們的輸出電...

柵極驅動器功率器件 2025-06-24

據報道，Wolfspeed 將被 Apollo 領導的債權人接管，同時競爭對手將迎來機遇

據路透社援引彭博社報道，在關于即將破產的傳聞出現近一個月后，Wolfspeed 現在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領導的債權人正準備根據破產計劃接管公司。報道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預計將在幾天內...

碳化硅意法半導體 2025-06-19

柵極驅動器 — 功率器件性能的關鍵環節：第 1 部分

有效的 MOSFET/IGBT 器件開關取決于柵極驅動器及其電源。從電源和電機驅動器到充電站和無數其他應用，硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN） MOSFET等開關功率半導體以及絕緣柵雙極晶體...

柵極驅動器功率器件 2025-06-18

新型功率器件的老化特性：HTOL高溫工況老化測試

_____隨著技術的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而，這些器件在長期連續使用后會出現老化現象，導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些器件的老化特性...

功率器件老化特性 2025-05-27

新型SiC模塊，可將安裝面積減少一半

ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達到業界頂級水平」，這使得安裝面積顯著減少。...

SiC 功率器件 2025-04-29

電感的失效分析

1、電感本質我們通常所說的電感指的是電感器件，它是用絕緣導線(例如漆包線,沙包線等)繞制而成的電磁感應元件。在電路中，當電流流過導體時，會產生電磁場，電磁場的大小除以電流的大小就是電感。電感是衡量線圈產生電磁感應能力的物...

電感功率器件 2025-04-03

功率電感器的額定電流為什么有兩種？

在DC-DC轉換器中，電感器是僅次于IC的核心元件。通過選擇恰當的電感器，能夠獲得較高的轉換效率。在選擇電感器時所使用的主要參數有電感值、額定電流、交流電阻、直流電阻等，在這些參數中還包括功率電感器特有的概念。例如，功率...

電感功率器件 2025-04-01

功率器件的熱設計基礎（一）---功率半導體的熱阻

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系...

英飛凌功率器件 2025-01-23

功率器件的熱設計基礎（二）---熱阻的串聯和并聯

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系...

英飛凌功率器件 2025-01-23

功率器件熱設計基礎（三）----功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯系實...

英飛凌功率器件 2025-01-23

功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法

英飛凌功率器件 2025-01-23

功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容

英飛凌功率器件 2025-01-23

功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型

前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎...

英飛凌功率器件 2025-01-23

功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散

英飛凌功率器件 2025-01-23

功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數

英飛凌功率器件 2025-01-23

功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數Ψth(j-top)獲取結溫信息

前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章...

英飛凌功率器件 2025-01-23

功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計

英飛凌功率器件 2025-01-17

國產1700V GaN器件進一步打開應用端市場

遠山半導體在連續推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級結（PSJ: Polariz...

GaN 電流崩塌 2025-01-14

功率器件熱設計基礎（十一）——功率半導體器件的功率端子

英飛凌功率器件 2025-01-10

牛人居然把功率MOS剖析成這樣，很難得的資料！

功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線...

功率器件 MOSFET 2025-01-09

功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態熱阻計算二極管浪涌電流

英飛凌功率器件 2024-12-17

博世將獲美芯片補貼擴產SiC半導體

據媒體報道，美國商務部13日宣布，已與德國汽車零部件供應商博世達成初步協議，向其提供至多2.25億美元補貼，用于在加州生產碳化硅（SiC）功率半導體。據悉，這筆資金將支持博世計劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的...

博世碳化硅 2024-12-16

羅姆、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰略合作伙伴關系

12 月 12 日消息，日本半導體制造商羅姆 ROHM 當地時間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發和量產事宜建立戰略合作伙伴關系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V?氮化鎵 HE...

羅姆臺積電 2024-12-12

功率器件熱設計基礎（六）——瞬態熱測量

英飛凌功率器件 2024-12-03

全球 33 家 SiC 制造商進展概覽

SiC 功率器件市場規模逐年擴大，并將保持高速增長。...

SiC 功率器件 2024-11-15

Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續發展、電動出行和數據中心應用而優化設計

為滿足電力電子系統對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發展。為了向系統設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種...

Microchip IGBT 7 2024-11-13

中芯國際：部分邏輯電路產能將轉向功率器件

大半導體產業網消息，日前，中芯國際聯席CEO趙海軍在業績會上表示，為滿足公司客戶的需求，公司將加速布局功率器件產能，充分支持汽車工業和新能源市場的發展。中芯國際將會在此前宣布的邏輯電路產能基礎上，調轉一部分來做功率器件，...

中芯國際邏輯電路 2024-11-11

新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發及產業化項目延期

8月13日，新潔能發布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發及產業化”項目達到預定可使用狀態日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環境等不可控因素的影響，項目的工程建設、...

新潔能 SiC 2024-08-16

TrendForce：預計 2030 年全球 GaN 功率元件市場規模 43.76 億美元，復合年均增長率達 49%

IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術傾注更多資源，功率 GaN 產業的發展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規模約&...

功率器件 GaN 2024-08-14

英飛凌馬來西亞居林第三廠區啟用，未來將成世界最大碳化硅功率半導體晶圓廠

IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來西亞的居林第三廠區（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產，也將關注氮化鎵（GaN）外圍晶圓。▲ 英飛凌居林第三廠區英飛...

英飛凌碳化硅 2024-08-08

功率器件模塊：一種滿足 EMI 規范的捷徑

由于功率模塊的設計和幾何形狀可以實現 EMI 建模，從而使設計人員能夠在設計流程的早期預測和了解其系統中的 EMI 反應。相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電...

WOLFSPEED 功率器件 2024-07-10

SiC 功率器件中的溝槽結構測量

汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實現這一點。但是，雖然基于溝槽的架構可以降低導通電阻并提高載...

SiC 功率器件 2024-06-17

如何增強 SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關鍵！

電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。事實上，至少在本世紀下半葉之前，SiC功率器件可能會供不應求。而隨著 SiC 襯底應用于 SiC 功率器...

SiC 電動汽車 2024-05-28

2028年全球SiC功率器件市場規模有望達91.7億美元

TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發展方向，SiC在汽...

SiC 功率器件 2024-05-06