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LG電子將通過混合鍵合進(jìn)入半導(dǎo)體設(shè)備市場

LG 電子已悄然啟動(dòng)成為半導(dǎo)體設(shè)備制造商的計(jì)劃。其生產(chǎn)技術(shù)研究所已開始開發(fā)為下一代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）量身定制的混合鍵合機(jī)，其內(nèi)部目標(biāo)是到 2028 年出貨生產(chǎn)單元。混合鍵合是一種晶圓級(jí)連接技術(shù)，無需焊料凸塊。相反...

LG電子混合鍵合 2025-07-15

三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合

三星計(jì)劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術(shù)，以減少熱量并實(shí)現(xiàn)超寬內(nèi)存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導(dǎo)體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對(duì)手 SK 海力士可能會(huì)推遲采用混合鍵合技術(shù)，EBN 報(bào)道。高帶寬...

三星 HBM4 2025-05-14

長江存儲(chǔ)主導(dǎo)混合鍵合專利，韓存儲(chǔ)巨頭三星和SK海力士壓力山大

隨著存儲(chǔ)器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產(chǎn)品，混合鍵合技術(shù)越來越受到關(guān)注。根據(jù) ZDNet 的一份報(bào)告，韓國三星電子和SK海力士在關(guān)鍵專利方面仍然落后。該報(bào)告強(qiáng)調(diào)，三星和SK海力士披露的混合鍵合相...

長江存儲(chǔ) 混合鍵合 2025-05-09

十年磨一劍：三星引入長江存儲(chǔ)專利技術(shù)

近日，三星與長江存儲(chǔ)（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采...

三星長江存儲(chǔ) 2025-02-27

混合鍵合在3D芯片中發(fā)揮著重要作用

上周，IEEE電子元件與技術(shù)會(huì)議（ECTC）的研究人員推動(dòng)了一項(xiàng)對(duì)尖端處理器和存儲(chǔ)器至關(guān)重要的技術(shù)。該技術(shù)被稱為混合鍵合，將兩個(gè)或多個(gè)芯片堆疊在同一封裝中，使芯片制造商能夠增加其處理器和存儲(chǔ)器中的晶體管數(shù)量，盡管曾經(jīng)定義...

混合鍵合 3D芯片 2024-06-26

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混合鍵合

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三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合

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ADI家庭總線數(shù)據(jù)線供電解決方案

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場

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