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LG 電子已悄然啟動成為半導體設備制造商的計劃。其生產技術研究所已開始開發為下一代高帶寬存儲器（HBM）量身定制的混合鍵合機，其內部目標是到 2028 年出貨生產單元?；旌湘I合是一種晶圓級連接技術，無需焊料凸塊。相反...

LG電子混合鍵合 2025-07-15

三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術，以減少熱量并實現超寬內存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術，EBN 報道。高帶寬...

三星 HBM4 2025-05-14

隨著存儲器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產品，混合鍵合技術越來越受到關注。根據 ZDNet 的一份報告，韓國三星電子和SK海力士在關鍵專利方面仍然落后。該報告強調，三星和SK海力士披露的混合鍵合相...

長江存儲混合鍵合 2025-05-09

近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采...

三星長江存儲 2025-02-27

上周，IEEE電子元件與技術會議（ECTC）的研究人員推動了一項對尖端處理器和存儲器至關重要的技術。該技術被稱為混合鍵合，將兩個或多個芯片堆疊在同一封裝中，使芯片制造商能夠增加其處理器和存儲器中的晶體管數量，盡管曾經定義...

混合鍵合 3D芯片 2024-06-26

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