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華芯微電子首條6寸砷化鎵晶圓生產線正式調通

據珠海高新區官微消息，近日，珠海華芯微電子有限公司（以下簡稱“華芯微電子”）首條6寸砷化鎵晶圓生產線正式調通，并生產出第一片6寸2um砷化鎵HBT晶圓，將于2025年上半年實現大規模量產。據悉，該晶圓具備高增益、高效能的...

華芯微電子砷化鎵 2024-11-20

又貴又強的砷化鎵電池未來能便宜點嗎

我們都知道，半導體材料對5G、人工智能、物聯網等新興電子信息產業有著舉足輕重的作用。其中，有一種叫砷化鎵的半導體材料，以它制成的電池，還有著更強大和廣闊的應用。我們耳熟能詳的太陽能電池，其最重要的一個指標就是光電轉化效率...

砷化鎵電池 2024-04-10

三安集成砷化鎵代工平臺助力WiFi 6E推廣

隨著WLAN技術的發展，室內場景更傾向于依賴無線通信技術，2021年互聯網約有50%的數據流量采用WiFi接入（來源：思科網絡）。龐大的流量和接入需求推動著無線通信技術的發展，WiFi 6E標準開放了新的6GHz頻段...

三安集成砷化鎵 2022-06-30

你不一定知道的砷化鎵

何種半導體會被慣之以“貴族”呢？它有什么神秘之處呢？他有什么特性呢，它的制備方法、產業鏈又是如何呢？它的終端應用產品市場分布怎么樣呢？文章接下來會以砷化鎵的材料屬性優勢、制備工藝流程、具體應用場景等等進行介紹，試希望梳理...

砷化鎵 2022-04-25

砷化鎵晶圓代工龍頭穩懋公布6月營收

砷化鎵晶圓代工龍頭穩懋昨(6) 日公告 6 月營收達 20.03 億元，月增 0.92%、年增 12.76%，重回 20 億元大關，累計第 2 季營收達 60.01 億元，持平首季也優于市場預期，展望未來，穩懋看好手...

砷化鎵 2020-07-08

英國科學家發現砷化鎵存不穩定性或可為汽車等研發更好的電子產品

據外媒報道，英國卡迪夫大學（Cardiff University）的研究人員首次發現，一種普通半導體材料的表面具有以前從未被發現的“不穩定性”。該發現可能對為日常生活提供能量的電子設備材料的未來發展產生深遠影響。從智能手...

砷化鎵電子產品 2019-12-09

海威華芯：已開發5G基站用GaN代工工藝，發布毫米波頻段用砷化鎵工藝

據海威華芯官方消息，公司已經開發了5G中頻段小于6GHz的基站用氮化鎵代工工藝、手機用砷化鎵代工工藝，發布了毫米波頻段用0.15um砷化鎵工藝。砷化鎵VCSEL激光器工藝、電力電子用硅基氮化鎵制造工藝在2019年也取得了...

海威華芯砷化鎵 2019-05-21

攻堅核心技術聚焦國內砷化鎵產業現狀

在高科技產業領域，核心基礎材料往往扮演著極為關鍵的角色，也是需要持續高投入、承受高風險、費時費力的一大領域。然而，擁有核心材料的廠商往往把持著各大產業的上游，對整個行業擁有很高的話語權，其一舉一動可能給整個行業帶來一場震...

砷化鎵 2019-02-15

砷化鎵代工廠將從蘋果3D傳感器需求中受益

　　蘋果(Apple)WWDC 2018到來，供應鏈業者直言，主要觀察重點在于iOS 12軟件更新，其中，增強現實(AR)、虛擬現實(VR)應用軟件可望出現進展，蘋果推動3D傳感功能不遺余力，軟硬件結合更是蘋果的強項，市...

砷化鎵 3D傳感器 2018-06-08

解讀全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭

穩懋在產業中具有龍頭地位，同時在技術與客戶關系上都處于領先狀況，產業整體狀況4G智慧型手機高速成長期已過，在下一波風潮來之前會處于較為低迷，在IoT與5G時代到臨的前提之下，砷化鎵市場的成長前景依然穩健，端視穩懋是否能維...

砷化鎵晶圓 2017-02-09

氮化鎵發展評估

本文介紹了氮化鎵的發展歷程，并與砷化鎵和LDMOS進行對比與分析，介紹了氮化鎵在軍事、無線基站及射頻能量等方面的特性和未來發展的廣闊市場。...

氮化鎵砷化鎵 2016-12-28

三安光電擬2.26億美元收購環宇通訊半導體發力砷化鎵

　　三安光電11日早間公告，公司全資子公司廈門市三安集成電路有限公司(以下簡稱“三安集成公司” )擬以自有貨幣資金合計美金226，000，000元的交易總價合并英屬開曼群島商環宇通訊半導體控股股份...

三安光電砷化鎵 2016-03-13

砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%

　　盡管存在硅的競爭，但無線通信的需求將繼續推動砷化鎵市場發展。　　據美國市場研究和咨詢公司——信息網絡公司稱，強大的無線通信需求使砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%。　　每個手...

砷化鎵集成電路 2016-01-07

半導體所在砷化鎵/鍺中拓撲相研究方面獲重要發現

　　中國科學院半導體研究所常凱研究組提出利用表面極化電荷在傳統常見半導體材料GaAs/Ge中實現拓撲絕緣體相。通過第一性原理計算和多帶k.p理論成功地證明了GaAs/Ge極化電荷誘導的拓撲絕緣體相，這為拓撲絕緣體的器件應...

半導體砷化鎵 2014-01-28

更便宜的砷化鎵薄膜太陽能電池處于研發中

　　美國伊利諾伊大學的研究人員正通過在一片硅片上“生長”多層的材料，來開發成本更低的砷化鎵薄膜太陽能電池。　　砷化鎵是一種半導體化合物，可以用于制作太陽能電池，并且在能量轉化效率方面，要比傳統...

砷化鎵薄膜太陽能電池 2010-06-23

CMOS PA陷入成本和性能兩難，“單芯片手機”夢受阻

電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園...

PA 砷化鎵 2010-05-31

NEC電子推出業界最小的小型薄型砷化鎵(GaAs)開關IC

NEC電子日前完成了用于進行高速無線通信的便攜式設備、筆記本電腦、終端設備（terminal）的小型薄型高頻砷化鎵(GaAs)開關IC--“μPG2176T5N”的開發，并將于即日起開始發售該產品的樣品。新產品是建立...

工業控制砷化鎵 2007-08-29

ANADIGICS與昆山高新技術產業園區共建砷化鎵晶圓制造廠

　　ANADIGICS一家無線及寬帶通訊綜合方案供應商，宣布其已與昆山高新技術產業園區（KSND）簽訂了投資合同，共同在中國江蘇省昆山市為 ANADIGICS, Inc. 建造一座新的先進的六英吋（6"）砷化鎵（GaAs...

ANADIGICS 晶圓制造廠 2007-04-10

2002年11月，我國直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制實現零突破

　　2002年11月，中國電子科技集團公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶，實現了我國直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制零的突破。...

電子砷化鎵 2010-01-07

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