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解讀 | 通過(guò)模擬和數(shù)字的融合解決問(wèn)題

中小功率電源控制IC的新選擇~“電源控制IC”是確保各種電氣產(chǎn)品和電氣設(shè)備正常運(yùn)行的不可或缺的器件。要使應(yīng)用產(chǎn)品正常高效地運(yùn)行，電源控制IC的選擇和合理設(shè)計(jì)是非常重要的。然而，貌似有很多工程師認(rèn)為“使用哪種電源控制IC應(yīng)...

羅姆半導(dǎo)體模擬和數(shù)字 2025-06-11

R課堂 | 加速度傳感器的工作原理

文的關(guān)鍵要點(diǎn)?“加速度傳感器”是用來(lái)檢測(cè)單位時(shí)間內(nèi)的速度（即加速度）的傳感器。?從原理方面看，加速度傳感器是通過(guò)檢測(cè)因移動(dòng)或傾斜而引發(fā)的與彈簧連接的質(zhì)量塊的位置變化來(lái)獲得加速度的。從本文開(kāi)始將為大家具體介紹傳感器相關(guān)的內(nèi)...

羅姆半導(dǎo)體加速度傳感器 2025-06-11

應(yīng)用筆記 | 成功實(shí)現(xiàn)LDO穩(wěn)壓器熱設(shè)計(jì)的6大步驟

通常我們使用LDO穩(wěn)壓器IC（以下簡(jiǎn)稱(chēng)LDO），可以簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)DC-DC轉(zhuǎn)換。作為電壓調(diào)節(jié)工具，LDO在輸入輸出電壓差小的時(shí)候效率非常好，但是在電壓差大的時(shí)候，由于其工作特性，會(huì)導(dǎo)致較高的功率損耗并發(fā)熱嚴(yán)重。因此，適當(dāng)?shù)?..

羅姆半導(dǎo)體 LDO穩(wěn)壓器熱設(shè)計(jì) 2025-06-11

R課堂 | 升壓電源負(fù)載短路時(shí)的過(guò)電流引發(fā)的問(wèn)題

首先，我們來(lái)了解一下“升壓電源負(fù)載短路時(shí)的過(guò)電流引發(fā)的問(wèn)題”。關(guān)于升壓電源的輸出短路引發(fā)的問(wèn)題，作為示例我們?cè)谶@里探討“二極管整流方式的輸出短路”、“同步整流方式的輸出短路”、“背柵控制”、“低邊開(kāi)關(guān)的限流工作”。1、二...

羅姆半導(dǎo)體升壓電源 2025-06-11

R課堂 | IGBT IPM的熱關(guān)斷保護(hù)功能（TSD）

關(guān)鍵要點(diǎn)BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC（Low Side Gate Driver）溫度的熱關(guān)斷電路，當(dāng)LVIC的 T j 達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí)，熱關(guān)斷電路將啟動(dòng)，會(huì)關(guān)斷下...

羅姆半導(dǎo)體 IGBT 2025-06-11

R課堂 | 什么是功率因數(shù)？計(jì)算和改善效率

功率因數(shù)是電源電路使用有功功率的效率指標(biāo)，用從0到1的值來(lái)表示。其值越接近1，功率因數(shù)越高，意味著功率的使用效率越好。交流電功率與功率因數(shù)密切相關(guān)，如果功率因數(shù)低，那么功率波動(dòng)和損耗就有可能增加。因此，改善功率因數(shù)有助于...

羅姆半導(dǎo)體 2025-06-11

R課堂 | 為什么提高電機(jī)的電壓時(shí)，轉(zhuǎn)速會(huì)隨之上升？

本文探討的問(wèn)題是 “ 為什么提高電機(jī)的電壓時(shí)，轉(zhuǎn)速會(huì)隨之上升？ ”具體而言，就是當(dāng)給電機(jī)繞組施加的電壓升高（增大）時(shí)，為什么其轉(zhuǎn)速會(huì)隨之上升。這一現(xiàn)象看似理所當(dāng)然，但其背后的原理卻涉及諸多物理公式。這...

羅姆半導(dǎo)體電機(jī) 2025-06-11

R課堂 | 家用電器開(kāi)發(fā)中微控制器的選型要點(diǎn)

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)1. 越來(lái)越多的家用電器使用語(yǔ)音播放作為用戶(hù)界面。2. 對(duì)于耗電量大的設(shè)備，需要考慮引入低功耗的控制方式和高效的供電系統(tǒng)。對(duì)于電池供電系統(tǒng)，可以利用微控制器的待機(jī)模式節(jié)省電力。3. 盡量減少微控制器的外置元...

羅姆半導(dǎo)體 2025-06-11

R課堂 | 線性穩(wěn)壓器IC的軟啟動(dòng)

線性穩(wěn)壓器IC的軟啟動(dòng)在輸入電源導(dǎo)通（啟動(dòng)）時(shí)，通過(guò)在一定時(shí)間內(nèi)逐步提升輸出電壓，可以抑制為輸出電容器充電時(shí)流過(guò)的浪涌電流的最大值，這就是采用軟啟動(dòng)的主要目的。BDxxIC0系列的軟啟動(dòng)上升時(shí)間在IC內(nèi)部固定...

羅姆半導(dǎo)體線性穩(wěn)壓器IC 2025-06-11

R課堂 | IGBT IPM的錯(cuò)誤輸出功能（FO）

關(guān)鍵要點(diǎn)?FO引腳為錯(cuò)誤輸出功能引腳，用于向外部通知內(nèi)置保護(hù)功能的啟動(dòng)情況，并會(huì)為自我保護(hù)而關(guān)斷下橋臂各相的IGBT。?FO輸出功能的信號(hào)輸出時(shí)間因已啟動(dòng)的保護(hù)功能類(lèi)型而異，因此可以判別已啟動(dòng)了哪種保護(hù)功能。這是本機(jī)型產(chǎn)...

羅姆半導(dǎo)體 IGBT 2025-03-28

低邊開(kāi)關(guān)的最大電流和可輸出的最大輸出電流

本文關(guān)鍵要點(diǎn)升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的最大輸出電流不僅僅取決于低邊開(kāi)關(guān)的電流容量。升壓比、轉(zhuǎn)換效率和電感紋波電流等因素會(huì)導(dǎo)致最大輸出電流大大低于低邊開(kāi)關(guān)的電流容量。在選擇升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器時(shí)，需要根據(jù)所需的輸出電流和升...

羅姆半導(dǎo)體低邊開(kāi)關(guān) 2024-07-31

什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/...

羅姆半導(dǎo)體 dv 2022-09-22

什么是雪崩失效

當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。這種電子-空穴對(duì)呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱(chēng)為“雪崩...

羅姆半導(dǎo)體雪崩失效 2022-09-22

測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測(cè)量方法

SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源...

羅姆半導(dǎo)體 MOSFET 2022-09-19

打造新一代智能電表/感知層的解決方案

　　姚玲玲?（羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司?技術(shù)中心?助理經(jīng)理）　　1 智能電表的發(fā)展機(jī)會(huì)　　在智能物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用中，羅姆（ROHM）目前主要著力點(diǎn)仍然在感知層。通過(guò)不斷優(yōu)化終端的數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)預(yù)處理，減輕邊緣計(jì)算負(fù)擔(dān)；提供...

202004 羅姆半導(dǎo)體 2020-03-30

2018年度“羅姆杯”上海大學(xué)大學(xué)生機(jī)電創(chuàng)新設(shè)計(jì)大賽圓滿落幕

2019年3月22日下午，由羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司主辦、上海大學(xué)承辦的2018年度“羅姆杯”上海大學(xué)大學(xué)生機(jī)電創(chuàng)新設(shè)計(jì)大賽在上海大學(xué)寶山校區(qū)工程技術(shù)訓(xùn)練中心圓滿落下帷幕。上海大學(xué)機(jī)電工程與自動(dòng)化學(xué)院領(lǐng)導(dǎo)、羅姆半導(dǎo)體（...

羅姆半導(dǎo)體 2019-04-10

北汽新能源聯(lián)手羅姆半導(dǎo)體，推動(dòng)SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)

　　11月30日，北汽新能源(北汽藍(lán)谷 600733)與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)董事末永良明現(xiàn)場(chǎng)簽署了合作協(xié)議書(shū)，并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗(yàn)室揭...

北汽新能源羅姆半導(dǎo)體 2018-12-15

第十六屆高交會(huì)電子展：縱覽改變世界的技術(shù)創(chuàng)新

　　2014年11月16日，第十六屆高交會(huì)電子展ELEXCON2014在深圳會(huì)展中心2號(hào)館正式拉開(kāi)帷幕。在這一中國(guó)最重要的電子展上，除了村田制作所、TDK、羅姆半導(dǎo)體、東芝電子、松下電器、尼吉康、路碧康、嘉美工、JAE、...

電子展羅姆半導(dǎo)體 2014-11-17

再訪清華-羅姆電子工程館

? [EEPW北京訊]2013年5月24日，清華大學(xué)羅姆電子工程館（清華校內(nèi)稱(chēng)之為‘羅　姆樓’），“２０１３清華－羅姆國(guó)際產(chǎn)學(xué)連攜論壇”在這里如期召開(kāi)。通過(guò)對(duì)此次論壇的實(shí)地采訪，筆者再次獲得了深入了解這起曾引起業(yè)界...

羅姆半導(dǎo)體清華大學(xué) 2013-06-14

羅姆半導(dǎo)體：用SiC撬動(dòng)新能源、汽車(chē)電子新興市場(chǎng)

　　由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē)中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域以及太陽(yáng)能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域，...

羅姆半導(dǎo)體電動(dòng)汽車(chē) 2012-03-13

復(fù)制京都經(jīng)驗(yàn) 羅姆半導(dǎo)體中國(guó)“野心”

　　從東京坐上新干線往南行駛2個(gè)小時(shí)，夜幕降臨時(shí)，便抵達(dá)了日本古城京都。　　這是一座不允許建高樓，甚至不允許在街頭出現(xiàn)鮮艷顏色廣告牌的城市，街道上看不到東京一樣的車(chē)水馬龍，一些人喜歡把它比作日本的西安—&...

羅姆半導(dǎo)體元器件 2010-10-19

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羅姆半導(dǎo)體