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東芝推出采用最新一代工藝的100V N溝道功率MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用，適用于數(shù)據(jù)中心和通...

東芝 N溝道 2025-09-25

東芝推出采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET

中國(guó)上海，2023年6月13日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線(xiàn)。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V...

東芝推超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu) 2023-06-13

東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和改進(jìn)的反向恢復(fù)特性

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。...

東芝 N溝道 2023-03-30

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置發(fā)布150V N溝道功率MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡(jiǎn)稱(chēng)“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管...

東芝 150V N溝道 2022-04-05

ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2高達(dá)8V，非常適用于基站...

ROHM 150V 2022-03-24

Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Silicon...

MOSFET N溝道 2019-12-11

MSO管掃盲文，告訴你N溝道和P溝道簡(jiǎn)單的判斷方法

　　1、MSO的三個(gè)極怎么判定：　　MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。　　G極，不用說(shuō)比較好認(rèn)?！　極，　　不論是P溝道還是N溝道，　　兩根線(xiàn)相交的就是;　　D極，　　不論是P溝道還是N溝道，　　是單獨(dú)引線(xiàn)的...

MSO管 N溝道 2018-06-27

飛兆推出一款低側(cè)高雙功率芯片非對(duì)稱(chēng)N溝道模塊

隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線(xiàn)路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3...

飛兆 MOSFET 2012-05-11

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150V N溝道

東芝推出采用最新一代工藝的100V N溝道功率MOSFET

東芝推出采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET

東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和改進(jìn)的反向恢復(fù)特性

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置發(fā)布150V N溝道功率MOSFET

ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專(zhuān)場(chǎng)

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