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瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程

　　DRAM報(bào)價(jià)直逼歷史低價(jià)，在DRAM產(chǎn)業(yè)籠罩一片低氣壓時(shí)，瑞晶的制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度仍是一馬當(dāng)先，原本預(yù)定2011年底前旗下所有產(chǎn)能都全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程，日前目標(biāo)已提前達(dá)陣，但因母公司爾必達(dá)(Elpida)應(yīng)部分客戶需要4...

瑞晶 30納米 2011-11-23

海力士半導(dǎo)體明年一季度開(kāi)始量產(chǎn)30納米芯片

　　海力士半導(dǎo)體發(fā)言人Park Seong Ae周四表示，公司將從明年第一季度開(kāi)始量產(chǎn)30納米芯片。　　這一表態(tài)證實(shí)了韓國(guó)網(wǎng)絡(luò)新聞媒體edaily此前的相關(guān)報(bào)道。...

海力士 30納米 2010-12-24

中芯45億美元打造國(guó)內(nèi)最大高端芯片基地

　　昨日，內(nèi)地最大集成電路制造商中芯國(guó)際，與東湖開(kāi)發(fā)區(qū)正式聯(lián)姻。中芯國(guó)際將注資45億美元，助光谷打造國(guó)內(nèi)最大高端芯片生產(chǎn)基地。　　中芯國(guó)際是內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)。早在2006年，中芯國(guó)際就開(kāi)...

中芯國(guó)際芯片 2010-11-03

景氣雖不明　海力士仍持續(xù)投資30納米制程

　　雖然在經(jīng)濟(jì)前景不明的情況下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣亦受到連帶影響，不過(guò)全球排名第2的半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)仍計(jì)劃對(duì)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程持續(xù)加碼，以增加和三星電子(Samsung Electronics)、日本爾必達(dá)(El...

海力士 DRAM 2010-10-13

爾必達(dá)12月將啟動(dòng)30納米DRAM量產(chǎn)

　　據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》周三報(bào)道，爾必達(dá)計(jì)劃在今年12月開(kāi)始量產(chǎn)40納米以下的DRAM芯片，此舉預(yù)計(jì)可節(jié)省生產(chǎn)成本約30%。爾必達(dá)即將量產(chǎn)的DRAM芯片線寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全...

爾必達(dá) DRAM 2010-09-29

爾必達(dá)停止研發(fā)PRAM

　　日刊工業(yè)新聞報(bào)導(dǎo)，由于擴(kuò)展應(yīng)用范圍及降低成本不易，爾必達(dá)(Elpida)計(jì)劃停止研發(fā)相位變化隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (PRAM)。　　爾必達(dá)監(jiān)于30納米技術(shù)已是DRAM產(chǎn)品細(xì)微化的技術(shù)極限，遂轉(zhuǎn)而研發(fā)PRAM，甚至已送樣...

Elpida 30納米 2009-12-18

三星電子增加下半年在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資

　　電子行業(yè)報(bào)紙ETnews周五報(bào)導(dǎo)稱，預(yù)計(jì)韓國(guó)三星電子下半年在一個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施上投資至少1萬(wàn)億韓元(合7.9億美元)。　　該報(bào)未指明消息來(lái)源稱，三星下半年在芯片業(yè)務(wù)方面的資本支出料為8,000億韓元左右。　　...

三星 DRAM 2009-07-20

NAND Flash再刮大風(fēng)　30納米世代競(jìng)賽起跑

　　全球NAND Flash需求仍相當(dāng)疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng)市場(chǎng)信心，然存儲(chǔ)器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程N(yùn)AND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應(yīng)鏈，推測(cè)其增產(chǎn)系為蘋果供...

三星 NAND 2009-06-25

全球閃存市場(chǎng)達(dá)254億美元廠商Q4投身30nm制程

　　據(jù)外電報(bào)道，NAND Flash(閃存)制造廠制程技術(shù)持續(xù)不斷推進(jìn)，集邦科技表示，各Flash制造廠自今年第四季起將陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程技術(shù)。　　根據(jù)美光預(yù)估，今年全球NAND Flash市場(chǎng)可望增長(zhǎng)至254億美...

閃存 NAND 2008-06-30

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30納米

瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程

海力士半導(dǎo)體明年一季度開(kāi)始量產(chǎn)30納米芯片

中芯45億美元打造國(guó)內(nèi)最大高端芯片基地

景氣雖不明　海力士仍持續(xù)投資30納米制程

爾必達(dá)12月將啟動(dòng)30納米DRAM量產(chǎn)

爾必達(dá)停止研發(fā)PRAM

三星電子增加下半年在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資

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