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三維封裝DDR2存儲器VD2D4G72XB191XX3U6測試

DDR2 SDRAM具有速度快、價格便宜、容量大的特點，應用非常廣泛。通過采用三維封裝技術(shù)將5片數(shù)據(jù)位寬為16 bits的DDR2 SDRAM芯片封裝成一個存儲模塊VD2D4G72XB191XX3U6，在不額外占用PCB...

DDR2 SDRAM Magnum 2測試系統(tǒng) 2022-05-31

DDR3與DDR2內(nèi)存區(qū)別

DDR3內(nèi)存相對于DDR2內(nèi)存，其實只是規(guī)格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3同DDR2接觸針腳數(shù)目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量內(nèi)存的支持較好，而大容量內(nèi)存的分水嶺是4GB這個容量，4GB...

DDR3 DDR2 2017-06-12

如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手

差分時鐘是DDR的一個重要且必要的設計，但大家對CK#（CKN）的作用認識很少，很多人理解為第二個觸發(fā)時鐘，其實它的真實作用是起到觸發(fā)時鐘校準的作用。...

DDR 差分時鐘 2017-06-03

基于FPGA的視頻圖像畫面分割器設計

摘要：為了解決在一個屏幕上收看多個信號源的問題，對基于FPGA技術(shù)的視頻圖像畫面分割器進行了研究。研究的主要特色在于構(gòu)建了以FPGA為核心器件的視頻畫面分割的硬件平臺，首先，將DVI視頻信號，經(jīng)視頻解碼芯片轉(zhuǎn)換為...

FPGA DDR2 SDRAM 2016-10-18

基于Xilinx V5的DDR2數(shù)據(jù)解析功能實現(xiàn)

基于Xilinx V5的DDR2數(shù)據(jù)解析功能實現(xiàn),摘要：介紹了一種基于Xilinx V5芯片的硬件板卡上，利用Verilog硬件編程語言，來實現(xiàn)DDR2對數(shù)據(jù)文件解析的目的：分析了CPCI總線與FPGA之間的通信特點;...

Xilinx Verilog DDR2 2016-09-12

基于千兆網(wǎng)的FPGA多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設計

　　FPGA豐富的邏輯資源、充沛的I/O引腳以及較低的功耗，被廣泛應用于嵌入式系統(tǒng)和高速數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域。現(xiàn)如今，各大FPGA生產(chǎn)廠商為方便用戶的設計和使用，提供了較多的、可利用的IP核資源，極大地減少了產(chǎn)品的開發(fā)周期和開發(fā)...

FPGA DDR2 2015-07-09

基于FPGA的DDR2 SDRAM存儲器用戶接口設計

使用功能強大的FPGA來實現(xiàn)一種DDR2 SDRAM存儲器的用戶接口。該用戶接口是基于XILINX公司出產(chǎn)的DDR2 SDRAM的存儲控制器，由于該公司出產(chǎn)的這種存儲控制器具有很高的效率，使用也很廣泛，可知本設計具有很大...

SDRAM FPGA 2013-05-16

DDR2 SDRAM介紹及其基于MPC8548 CPU的硬件設計

DR2(Double Data Rate 2，兩倍數(shù)據(jù)速率，版本2) SDRAM，是由JEDEC標準組織開發(fā)的基于DDR SDRAM的升級存儲技術(shù)。相對于DDR SDRAM，雖然其仍然保持了一個時鐘周期完成兩次數(shù)據(jù)傳輸...

CPU 硬件 2012-08-06

Xilinx Spartan-3A FPGA 的DDR2接口設計

1 引言DDR2(Double DataRate2)SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯(lián)合委員會)制定的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不同：雖然采用時鐘的上升／下降沿同時傳輸數(shù)據(jù)的基本方式，...

Spartan Xilinx 2012-07-17

DDR測試系列之一――力科DDR2測試解決方案

DDR2簡介從1998年的PC100到今天的DDR3，內(nèi)存技術(shù)同CPU前端總線一道經(jīng)歷著速度的提升及帶寬的擴展。雖然DDR3在當今已經(jīng)量產(chǎn)與使用，DDR2在實際上還擔任著內(nèi)存業(yè)界應用最廣泛最成熟的中流砥柱的角色。DDR2...

DDR2 DDR 2012-07-10

便攜設備DDR2-3內(nèi)存電源解決方案

在筆記本電腦和PDA便攜系統(tǒng)中，為達到JEDEC(電子器件工程設計聯(lián)合會)的標準規(guī)范(JESD79E)，對DDR2-3內(nèi)存在靜態(tài)穩(wěn)壓和動態(tài)響應方面提出了嚴格的要求。DDR2-3基本上需要三條電源軌：一個給內(nèi)核供電的主電源...

電源解決方案 2012-06-11

采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計

采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計,本白皮書討論各種存儲器接口控制器設計所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過硬件驗證的參考設計來為...

接口控制器 2012-05-30

Nufront第三代處理器采用Cadence接口IP解決方案

全球電子設計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司 (NASDAQ: CDNS)，日前宣布Nufront(新岸線)的NS115芯片組采用了Cadence可配置的DDR3/3L/LPDDR2存儲控制器與硬化PHY IP核，...

Cadence DDR2 2012-05-23

一種矢量信號發(fā)生器設計與實現(xiàn)

摘要：充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產(chǎn)生矢量信號的特點，以FPGA為邏輯時序控制器，設計并實現(xiàn)了一種靈活、簡單、低成本的矢量信號發(fā)生器。本文以產(chǎn)生3載波WCDM...

DDR2 SDRAM FLASH 2012-05-21

高速圖像處理系統(tǒng)中DDR2-SDRAM接口的設計

摘要：為了滿足高速圖像處理系統(tǒng)中需要高接口帶寬和大容量存儲的目的，采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設計方法，提出一種基于VHDL語言的DDR2-SDRAM控制器的方案，針對高速圖像處理系統(tǒng)中的具體情況，在Xili...

接口設計 2011-07-22

基于USB2.0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設計

摘要：采用DDR2SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)，給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實時、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方......

USB2.0 DDR2 2011-06-21

基于Cyclone III FPGA的DDR2接口設計分析

DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，即雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，能夠在時鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，可以在與SDRAM相同的總線時...

Cyclone FPGA 2011-04-21

ASIC原型驗證板DDR2 速率再攀高峰

　　唐芯微電子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA單顆(MB3100-A5/8)和雙顆(D-MB3100A)原型驗證平臺半年來在用戶項目使用中，從性能、價格、穩(wěn)定性來說已得到了...

ASIC DDR2 2011-03-02

基于USB2_0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設計與FPGA實現(xiàn)

摘要：采用DDR2 SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)，給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實時、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案，同時提出了對數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的改進思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 ...

DDR2 FPGA 2011-01-13

基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設計與仿真

基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設計與仿真, 摘要：介紹了DDR2嵌入式系統(tǒng)的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具，并基于Hyperlyxn仿真工具對IBIS模型進行仿真分析，給出了一個具體的DDR2嵌...

設計仿真 2010-11-05

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設計,　　本白皮書討論各種存儲器接口控制器設計所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過硬件驗證的參考設計...

接口控制器 2010-08-27

美光推出內(nèi)存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本

　　美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內(nèi)存，支持英特爾即將對平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動™ 的Oak Trail平臺...

美光 50納米 2010-07-30

鎂光開始出貨50nm 2Gb DDR2 內(nèi)存芯片

　　鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板電腦市場。　　該芯片采用低電壓DDR2標準制造，可與英特爾開發(fā)代號Oak Trail的Atom系統(tǒng)協(xié)同工作，容量方面，該芯片從512Mb到2Gb不等...

鎂光 50納米 2010-07-29

inSpectrum：內(nèi)存/閃存芯片現(xiàn)貨價格本周出現(xiàn)下降

　　據(jù)inSpectrum市調(diào)機構(gòu)的報告顯示，由于本周內(nèi)存/閃存芯片的現(xiàn)貨市場需求量有所下滑，因此各大存儲芯片廠商均對這些產(chǎn)品的現(xiàn)貨價格進行了調(diào)整。其中1Gb密度DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的現(xiàn)貨價格下調(diào)了5-6%，均價于4月...

存儲芯片閃存芯片 2010-05-04

威剛董事長預計DRAM市場二季度起出現(xiàn)供應短缺

　　據(jù)臺灣媒體報道，威剛科技董事長陳立白(Simon Chen)今日表示，從第二季度開始，動態(tài)隨機存儲器(DRAM)市場可能會面臨供應短缺問題，到今年下半年，供需缺口可能會達到10%。　　據(jù)報道，很多DRAM生產(chǎn)商已...

威剛 DRAM 2010-03-02

臺灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價節(jié)后上漲7%

　　據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，內(nèi)存(DRAM)補貨潮號角響起，DDR2現(xiàn)貨價打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài)，農(nóng)歷年后上漲近7%，創(chuàng)近一個多月新高。相關(guān)大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠可能得要擔心，資訊產(chǎn)品供應鏈下半年會出...

茂德 DDR2 2010-03-02

DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3

　　報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半年超過DDR3。　　Simon Chen認為，DDR2在低端PC市場...

DRAM DDR3 2010-02-05

DRAM迎來希望之光年底將“春光燦爛”

　　在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。　　但是，繼春季溫和復蘇之后，DRAM供應商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三...

DRAM DDR3 2010-02-01

臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3

　　2010年P(guān)C主流內(nèi)存標準從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實。據(jù)臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺系DRAM芯片制造商都在加快產(chǎn)能從DDR2向DDR3轉(zhuǎn)換的步伐。根據(jù)稍早前的報...

DRAM DDR2 2010-01-18

DDR2乏人問津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

　　DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投...

DRAM DDR2 2010-01-18

Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)完成

　　韓國內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動設備，可在智能手機，平板電腦等移動設備上使用，Hynix并稱這種芯片將于今年上半年開始投入量產(chǎn)。 &...

Hynix 44nm 2010-01-14

DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

　　2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。　　DDR2 還不算過時，而且...

DRAM DDR2 2009-12-14

DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

DRAM 存儲 2009-12-11

DDR內(nèi)存合約價格大漲南科華亞科受惠

　　據(jù)臺灣媒體報道，11月上旬動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)合約價出爐，DDR2 1Gb與DDR3 1Gb顆粒合約均價皆大漲超過15%，DDR2 2Gb合約均價漲幅也達13.9%，預估11月下旬DDR2合約價可望持續(xù)攀高，...

南科 DRAM 2009-11-11

DRAM合約價大漲，今年沒淡季

　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)沒有淡季，11月上旬DDR2和DDR3合約價持續(xù)大漲近20%，2GB DDR2模塊甚至一度飆到50美元天價，足見PC OEM廠拉貨力道沒有休息跡象，DRAM廠為確保DDR2和DDR3買氣同步增溫...

DRAM DDR2 2009-11-11

集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收季增率高達40.7％

　　根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計算機系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價也在合約價的帶動下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價格大漲，亦帶動DDR2合...

三星 DRAM 2009-11-06

金士頓：看好明年NAND Flash市場前景

　　遠東金士頓(Kingston)董事長蔡篤恭指出，目前PC OEM廠對于DDR2和DDR3貨源都很缺，產(chǎn)業(yè)鏈庫存水位不高，預計到2009年底前都沒有淡季，展望2010年存儲器產(chǎn)業(yè)，NAND Flash市場受惠終端應用多...

Kingston 存儲器 2009-11-04

DRAM報價高檔不墜　爾必達8季以來首次獲利

　　日系DRAM大廠爾必達(Elpida) 2010會計年度第2季(7~9月)出現(xiàn)連虧8季以來的首度由虧轉(zhuǎn)盈，營收960億日圓(約10.66億美元)，營業(yè)利益5億日圓，加上日前1Gb容量 DDR2價格沖上2.5美元價位，...

Samsung DRAM 2009-10-19

DRAM價格再攻新高點！力晶想為瑞晶贖身

　　日系DRAM制造大廠爾必達(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主導權(quán)，讓瑞晶成為名符其實的日系公司，惟存儲器業(yè)者透露，當初力晶因為債務問題，將瑞晶持股賣給爾必達時，設下「買回期限」，在期限內(nèi)有權(quán)再將瑞晶持...

爾必達 DRAM 2009-10-16

留給DDR2芯片的“蜜月期”只剩6個月

　　據(jù)摩根斯坦利公司的分析師Frank Wang稱，DDR2芯片的價格未來將繼續(xù)上漲，并很有可能會超過DDR3芯片的售價，不過漲價期應該不會超過6個月，而DDR3芯片則將在這段時間內(nèi)漸成市場主流。據(jù)Wang分析，驅(qū)動最近...

DDR2 內(nèi)存芯片 2009-10-09