FLASH技術(shù)社區(qū)

Flash

閃存（Flash ROM）：是一種電擦除非易失型存儲(chǔ)器，由浮柵型場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對(duì)靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。。查看更多>>

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FLASH資訊

NOR FLASH火了

閃存包括 NOR Flash（或非閃存）和 NAND Flash（與非閃存），其中 NAND Flash 占據(jù)閃存市場(chǎng) 95% 以上份額。NOR Flash（或非閃存）憑借獨(dú)特的技術(shù)特性，在工業(yè)、汽車等專業(yè)領(lǐng)域...

NOR Flash 2026-02-02

中微半導(dǎo)發(fā)布首款Flash芯片，進(jìn)軍存儲(chǔ)領(lǐng)域

1月19日，中微半導(dǎo)發(fā)布了一則自愿性公告，宣布即將推出其首款非易失性存儲(chǔ)器芯片，正式進(jìn)入Flash領(lǐng)域。這一產(chǎn)品型號(hào)為CMS25Q40A，是一款容量為4M bit的低功耗SPI NOR Flash芯片。該芯片的存儲(chǔ)陣列被...

中微半導(dǎo) Flash 2026-01-20

NOR Flash、MEMS與傳感器、功率器件三大領(lǐng)域洞察

進(jìn)入2026年，NOR Flash的基本面與DRAM和NAND形成顯著差異：其定價(jià)保持穩(wěn)定，基本不受存儲(chǔ)周期性波動(dòng)影響。同時(shí)，市場(chǎng)需求正日益轉(zhuǎn)向適用于汽車、工業(yè)及真無(wú)線耳機(jī)（TWS）等領(lǐng)域的更高密度SPI NOR產(chǎn)品。更...

NOR Flash MEMS 2026-01-16

兆易創(chuàng)新GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

一、產(chǎn)品概述中國(guó)北京（2025年4月15日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）...

兆易創(chuàng)新 GD5F1GM9 2025-12-30

BiCS FLASH進(jìn)階時(shí)，加速存儲(chǔ)新進(jìn)化

AI算力需求爆炸，海量數(shù)據(jù)頻繁調(diào)動(dòng)，致使存儲(chǔ)行業(yè)變得愈發(fā)重要。無(wú)論是當(dāng)下的生成式AI，還是即將到來(lái)的AI智能體、端側(cè)AI，高性能、高密度、高能效存儲(chǔ)解決方案都將作為可靠的硬件基礎(chǔ)，進(jìn)而解決數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練推理以及移動(dòng)設(shè)...

BiCS FLASH 3D閃存 2025-11-28

用鎧俠BiCS Flash，為AI算力創(chuàng)造新可能

AI的計(jì)算、數(shù)據(jù)傳輸與存儲(chǔ)已經(jīng)成為當(dāng)下數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器端最為關(guān)注的問(wèn)題之一。在有限的空間和成本內(nèi)如何實(shí)現(xiàn)更高的收益，如何讓存儲(chǔ)方案給計(jì)算單元提供充足的數(shù)據(jù)支持，加速數(shù)據(jù)交換，節(jié)省電力和散熱成本都值得探討，其中就包括閃存技...

鎧俠 BiCS Flash 2025-10-10