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功率電路進(jìn)階教程：SiC JFET 如何實(shí)現(xiàn)熱插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動(dòng)電路保護(hù)系統(tǒng)取得重大進(jìn)步、通過評(píng)估和測(cè)試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過...

安森美功率電路 2026-01-19

功率電路進(jìn)階教程：固態(tài)斷路器采用SiC JFET的四個(gè)理由

安森美功率電路 2026-01-19

聚焦固態(tài)斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀

輸配電系統(tǒng)與各類靈敏用電設(shè)備的安全運(yùn)行，離不開對(duì)長(zhǎng)時(shí)間過載與瞬態(tài)短路故障的妥善防護(hù)。這些風(fēng)險(xiǎn)若未及時(shí)管控，輕則導(dǎo)致設(shè)備損壞，重則引發(fā)系統(tǒng)癱瘓。隨著電力系統(tǒng)電壓等級(jí)持續(xù)提升、電動(dòng)汽車高壓化趨勢(shì)加劇，電路中可能出現(xiàn)的最大故障...

安森美固態(tài)斷路器 2026-01-19

175℃極限突破！SiC JFET 讓固態(tài)斷路器（SSCB）無懼高溫工況

斷路器是一種用于保護(hù)電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護(hù)人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD）或接地故障斷路器（GFCI）。該裝置可檢測(cè)泄漏電流并切斷電路。機(jī)電式斷路器的設(shè)計(jì)可...

安森美 SiC 2025-09-24

一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通...

安森美 SiC 2025-06-30

SiC Combo JFET技術(shù)概覽與特性

SiC Combo JFET 安森美 2025-06-26

SiC Combo JFET講解，這些技術(shù)細(xì)節(jié)必須掌握

安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 ...

安森美 SiC 2025-06-11

英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電

Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護(hù)和配電設(shè)計(jì)的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過反向偏置 PN 結(jié)...

英飛凌 SiC 2025-05-12

英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

近日，為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電...

英飛凌 CoolSiC 2025-05-07

為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

簡(jiǎn)介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)...

碳化硅 Cascode JFET 2025-03-11

速看！SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)白皮書完整版

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://cqxgywz.com/a...

SiC JFET 2025-03-05

SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的...

JFET Cascode 2025-03-05

從硅到碳化硅過渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？

電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)（...

SiC Cascode 2025-02-24

安森美將收購碳化硅JFET技術(shù)，以增強(qiáng)其針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合

安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteS...

安森美碳化硅JFET 2024-12-11

安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)

據(jù)安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿...

安森美收購 2024-12-11

很基礎(chǔ)的MOS管知識(shí)

半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因?yàn)檫@種管子是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的，所以也叫場(chǎng)效應(yīng)三極管（FET），...

三極管 MOSFET 2024-08-06

還分不清結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現(xiàn)

JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場(chǎng)...

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 jfet 2024-08-01

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法，幫你搞定jfet極性判斷

今天給大家講講結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法。用萬用表來判斷JFET極性相對(duì)來說比較簡(jiǎn)單，因?yàn)橹挥幸粋€(gè)PN結(jié)要測(cè)：要么在柵極和源極之間測(cè)量，要么在柵極和漏極之間測(cè)量。1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法--引腳識(shí)別JFET的柵極對(duì)應(yīng)晶...

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 jfet 2024-08-01

晶體管分類有哪些？收藏這一張圖就夠了！

本文來自公眾號(hào)：8號(hào)線攻城獅，主要介紹了晶體管分類，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數(shù)和特性。...

晶體管 NPN 2021-05-25

如何成為硬件高手

　　摘要：駕駛著進(jìn)取號(hào)電子飛船，從發(fā)射區(qū)進(jìn)入充滿黑洞的基區(qū)，一些同伴被黑洞束縛，一些擄去另一世界，你幸運(yùn)地躲過一劫飛到集電結(jié)，受到強(qiáng)大的吸力快速渡越出集電區(qū)，漫游在低阻導(dǎo)線上，松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風(fēng)順，阻...

仿真 JFET 2017-04-21

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)的基礎(chǔ)知識(shí)

　　結(jié)構(gòu)與符號(hào)：　　? ?　　在N區(qū)兩側(cè)擴(kuò)散兩個(gè)P+區(qū)，形成兩個(gè)PN結(jié)。兩個(gè)P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。　　導(dǎo)電原理：　　? ?　　(1)VGS=0時(shí)，N型棒體導(dǎo)電溝道最寬(N型區(qū))...

JFET 2017-01-03

CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流

　　由于具有較低的偏置電流，人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運(yùn)算放大器。然而你應(yīng)該意識(shí)到，這個(gè)事實(shí)還與很多其它的原因相關(guān)。　　CMOS晶體管的柵極 (CMOS運(yùn)算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設(shè)計(jì)附加的電路來對(duì)脆弱...

CMOS JFET 2015-12-21

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理- -場(chǎng)效應(yīng)管工作原理也瘋狂

一、場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理- -概念　　場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡(jiǎn)稱，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，也稱為單極性場(chǎng)效應(yīng)管，是一種常見的利用輸入回路的電場(chǎng)效...

場(chǎng)效應(yīng)管 MOS 2015-01-16

挑戰(zhàn)毫微安小電流測(cè)量技術(shù)

幾千種應(yīng)用都需要測(cè)試小電流的電路，最常見的是測(cè)量二極管受光照射所產(chǎn)生的光電電流。一些科學(xué)應(yīng)用（如CT......

毫微安電流電流測(cè)量 2012-09-04

確定JFET特性的簡(jiǎn)單電路

當(dāng)使用分立的JFET時(shí)，設(shè)計(jì)者可能需要將大量可變的器件參數(shù)與某個(gè)給定的晶體管型號(hào)相適應(yīng)。一般會(huì)使用平方律方程，作為JFET漏極電流特性的一個(gè)近似模型：ID=beta;(VGS-VP)2，其中，ID是漏極電流，VGS是柵源...

電路簡(jiǎn)單 2012-07-02

JFET級(jí)聯(lián)實(shí)現(xiàn)恒定精確電流源的方法

很多工藝控制傳感器（如熱敏電阻器和應(yīng)變橋）都需要精確的偏置電流。增加一只電流設(shè)置電阻器R1后，電壓基準(zhǔn)電路IC ......

JFET 恒定 2012-06-26

英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

在“2012年歐洲電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電能品質(zhì)國(guó)際研討會(huì)與展覽會(huì)”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英...

英飛凌 SiC 2012-06-20

Power Integrations將銷售SiC二極管和JFET

用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories簽署代表其在歐洲以外市場(chǎng)銷售創(chuàng)新的碳化硅(SiC)二極管和JFET系列產(chǎn)品的協(xié)議。...

Power Integrations SiC二極管 2011-11-30

電腦的麥克風(fēng)電路以及JFET-MOSFET耳機(jī)功放電路

電腦的麥克風(fēng)電路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and...

電路耳機(jī) 2010-02-01

德州儀器推出業(yè)界速度最快的 JFET 輸入放大器

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運(yùn)算放大器，其可實(shí)現(xiàn)3 倍于同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應(yīng)。上述放大器將寬帶電壓反饋放大器與高阻抗...

TI 運(yùn)算放大器 2009-12-14

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JFET