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三星將停產MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術

據消息人士透露，三星計劃在下個月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業務。同時，三星還提高了MLC NAND的價格，促使部分客戶開始尋找替代供應商。LG顯示（LG D...

三星 MLC NAND 2025-05-27

意法半導體Web工具配合智能傳感器加快AIoT項目落地

意法半導體新推出了一款基于網絡的工具ST AIoT Craft，該工具可以簡化在意法半導體智能 MEMS 傳感器的機器學習內核 (MLC)上開發節點到云端的 AIoT（物聯網人工智能）項目以及相關網絡配置。MLC機器學習...

意法半導體 ST AIoT Craft 2024-11-25

凌華科技全新多功能一體式醫療平板電腦，賦能醫療可視化

凌華科技發布基于第 11 代Intel? Core? 處理器的 MLC-M 醫療平板電腦，全新的多功能一體式醫療平板電腦 MLC-M，提供卓越的性能和多任務處理能力，可以輕松運行高分辨率圖像處理軟件以及 HIS...

醫療平板電腦凌華科技 2023-10-16

機器學習模型設計過程和MEMS MLC

開發機器學習項目的五個步驟 — 掌握要點，應用并不困難！邊緣機器學習具有許多優勢。然而，由于開發方法與標準程序設計方法截然不同，許多機器學習開發者可能會擔心自己難以駕馭。其實，完全沒有必要擔心。一旦熟悉了步驟，并掌握了...

機器學習模型設計 2021-12-07

意法半導體推出高級iNEMO傳感器，為工業和消費應用增添機器學習內核的能效優勢

近日，意法半導體推出最新的ISM330DHCX?和?LSM6DSRX?iNEMO?6軸慣性測量單元(IMU)，將動作檢測機器學習內核(MLC)技術的優勢擴大到工業和高端消費應用領域。機器學習內核(MLC)技術對動作數據執...

IMU MLC 2020-03-13

一文解析SLC、MLC和TLC三者的區別

SLC、MLC和TLCOFweek電子工程網訊：X3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)...

SLC MLC 2018-08-01

NAND閃存的三種架構：MLC、SLC、MBC

NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開發，但該項架構技術并不成熟。采S...

MLC 閃存 2017-06-12

SLC、MLC、TLC閃存芯片的區別

SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(...

SLC MLC 2016-10-15

東芝攜強大產品陣容亮相慕尼黑上海電子展

　　　　日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，東芝攜其強勢產品和尖端技術參加了于2015年3月17日至19日在上海新國際博覽中心舉辦的2015慕尼黑電子展。并于3月18日...

東芝慕尼黑上海電子展 2015-03-30

東芝：泄密了的閃存技術走勢

　　全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange的數據表明，東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長2...

東芝閃存 2015-01-09

NAND閃存窮途末路下一代閃存技術百花齊放

　　由于閃存技術的發展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領域。雖然其速度較以往的機械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個計算架構，閃存仍舊是計算系統中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都...

NAND MLC 2014-12-23

電源設計小貼士:MLC電容器常見缺陷的規避方法

因其小尺寸、低等效串聯電阻（ESR）、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷（MLC）電容器在電源電子產品中變得 ......

電源 MLC 2013-10-14

MLC電容器常見缺陷的規避方法

因其小尺寸、低等效串聯電阻（ESR）、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷（MLC）電容器在電源電子產品中變得......

MLC 電源設計 2013-09-25

解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術細節

IMFT使用的先進工藝可以顯著地改變消費電子產品的設計和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術以及混合SSD/HD系統(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實現。這些技術很...

表象技術 2012-05-28

NAND Flash SLC MLC技術分析

什么是SLC？SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數據時...

Flash NAND 2012-04-05

三星閃存芯片被指侵權殃及八家公司

　　據國外媒體報道，美國知識產權公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿易委員會提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專利，要求禁止進口侵權芯片...

三星 NAND 2009-07-29

NAND閃存價格波動破壞SSD市場普及性

　　周一消息研究機構iSuppli指出，NAND閃存價格大幅波動的現象，大幅削弱了之前對2009年固態硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預期。　　iSuppli專研行動和新興內存的資深分析師Michael Yan...

NAND 閃存 2009-07-15

Intel兩周內發布基于34納米NAND固態硬盤

　　近來謠言越來越厲，市場盛傳英特爾將于未來2周里發布基于34納米制程NAND芯片的固態硬盤。之前有報道稱英特爾Chipzilla芯片實驗室將于去年Q4發布新34納米閃存，不過時間表早已大大推后。固態硬盤出現的時間不久，...

英特爾 NAND 2009-06-29

NAND閃存的下一個熱點：性能

　　利用50-40nm的工藝制程節點，NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術。盡管位元密度強勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內。由于數字內容需要的增長，公司更...

NAND 柵極感應 2008-08-22

英特爾合資公司開發出MLC閃存樣品

據國外媒體報道，本周四美光科技宣布，它與英特爾的合資企業IM Flash科技公司已經開發出處于行業領先水平的50納米MLC(多層單元)NAND閃存芯片樣品。美光稱，與SLC(單層單元)閃存組件相比，新的MLC...

MLC 閃存 2007-05-01

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